半导体行业学习报告.doc 46页

'實習報告工程部***2010.11.19 一．半導體基礎知識51．半導體性質51.1緒論51.2半導體影響因素52.本征半導體和雜質半導體62.1本征半導體和本征激發62.2N型半導體72.3P型半導體73PN結83.1PN結的形成83.2外加順向偏壓93.3外加逆向電壓93.4PN結的伏安特性曲線103.5二極體的擊穿特性103.6二極體的主要參數114.能帶理論124.1能帶結構124.2施主能級和受主能級144.3雜質的補償作用14二.產品制程161．產品種類162.產品外觀183．焊接站19 3.1焊接原理193.2潤濕作用203.3焊接流程213.4焊接爐各區長度及分佈情況214酸洗站234.1蝕刻的目的234.2蝕刻原理234.3影響蝕刻的因素244.4蝕刻量大小對材料電性的影響244.5蝕刻流程255上膠站255.1上膠目的255.2上膠流程255.3影響上膠品質的因素265.4矽膠的特點266.壓模站266.1.壓模的目的266.2.壓模流程276.3.環氧樹脂277.測試站317.1測試目的和原理317.2.基本電性參數317.3.常見波形328．信賴性學習32 9.失效分析349.1失效分析流程349.2主要分析設備及儀器3410.SPC3510.1SPC的目的3510.2技術原理3610.3術語和名詞解釋3610.4極差與標準差3610.5變差3710.6過程能力與過程能力指數3811.MSA3811.1測量系統與測量系統分析3811.2MSA基本概念3912.PPAP3912.1PPAP規定3912.2提供PPAP的情況4012.3PPAP的內容4212.4品質指數4213.APQP4313.1APQP定義與目的4313.2術語4313.3APQP階段流程44 一．半導體基礎知識1．半導體性質1.1緒論物質有氣態、液態、固態和等離子體態等幾種形態。如果按照固體的導電能力(用電阻率ρ或電導率σ描述)不同，可以區分為導體、半導體和絕緣體，如表1.1所示。表1.1導體、半導體和絕緣體的電阻率範圍材料導體半導體絕緣體電阻ρ（Ωcm）＜10-310-3～109＞1091.2半導體影響因素A．溫度升高使半導體導電能力增強，電阻率下降。如室溫附近的純矽(Si)，溫度每增加8℃，電阻率ρ相應地降低50%左右。B．微量雜質含量可以顯著改變半導體的導電能力。以純矽中每100萬個矽原子摻進一個Ⅴ族雜質（比如磷）為例，這時矽的純度仍高達99.9999%，但電阻率ρ在室溫下卻由大約214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下。C.適當波長的光照可以改變半導體的導電能力。如在絕緣襯底上製備的硫化鎘(CdS)薄膜，無光照時的暗電阻為幾十MΩ，當受光照後電阻值可以下降為幾十KΩ。D.半導體的導電能力還隨電場、磁場等的作用而改變。 2.本征半導體和雜質半導體2.1本征半導體和本征激發本征半導體：純淨的、不含任何雜質和缺陷的半導體稱為本征半導體。在絕對溫度T=0K時，所有的價電子都被共價鍵緊緊束縛在共價鍵中，不會成為自由電子，因此本征半導體的導電能力很弱，接近絕緣體。圖1為本征半導體的共價鍵結構。圖1本征半導體共價鍵結構本征激發：價電子因熱運動獲得能量，爭脫共價鍵的束縛，成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，這一現象成為本征激發。溫度越高，本征激發越強，產生的自由電子和空穴越多。如圖2所示。圖2本征激發本征激發的特點：A.成對的產生導帶電子和價帶空穴，導帶中的電子濃度n0等於價帶中的空穴濃度p0，即n0=p0. B.溫度對本征半導體中載流子濃度有重要影響，隨著溫度的升高，本征半導體載流子濃度迅速的增加。2.2N型半導體若純半導體中摻入五價元素，由於價電子間會互相結合形成共價鍵，而五價的雜質與四價的矽每形成一共價鍵便多出一自由電子，此半導體稱之為Ｎ型半導體。由於摻入丕價元素後電子數全增加，故五價元素稱為施體。在Ｎ型半導體中，自由電子佔大多數，故稱多數載子。相對的，因受熱而破壞共價鍵產生的電子電洞對是少數，所以電洞在Ｎ型半導體中稱為少數載子。因摻入五價雜質，自由電子數加，以致半導體的導電率提高，而電阻值下降。如圖3所示。圖3N型半導體2.3P型半導體相對於Ｎ型半導體，當在純矽中摻入三價元素的雜質，使得每個矽原子與三價雜質結合產生共價鍵時，便缺少一電子，也就是多一個電洞，如此半導體稱之為Ｐ型半導體。由於加入三元素，半導體原子中空位增多，故稱三價元素為受體。在Ｐ型半導體中，多數載子為電洞，少數載子電子。 Ｐ型半導體也因多數載子比純半導體多，以致導電率提高，而電阻值下降如圖4所示。圖4P型半導體3PN結3.1PN結的形成Ｐ型半導體與Ｎ型半導體接合後便成為二極體。在剛接合時，接面處電子與電洞相結合，造成在靠近接面處的Ｎ型半導體失去電子後變成正離子，而Ｐ型半導體失去電洞後變成負離子，此時正離子排斥電洞，負離子排斥電子，因而阻止了電子與電洞繼續結合，達到平衡狀態。在Ｐ－Ｎ接面附近，有一區域沒有自由載子為電子與電洞，只有帶正負電的離子，此區域稱之為位能障壁（potentialbarrier）VB，一般而言鍺的Ｐ－Ｎ接面位能障壁為０.２Ｖ，而矽為０.６Ｖ，如圖5所示。圖5PN結 3.2外加順向偏壓當外加直流電源的正端接到二極體的Ｐ極，而將負端接到Ｎ極，就構成二極體的順向偏壓。如圖6所示。外加偏壓克服了Ｐ－Ｎ接面的位能障壁，使自由電子由電源的負極經過二極體的Ｎ極很容易地通過接面，與Ｐ極的多數載子－－電洞復合，變成價電子，通過Ｐ極到達電源的正端，以致產生大量的順向電流。圖6外加順向偏壓3.3外加逆向電壓當外加直流電源的正端接到二極體的Ｎ極，而將負端接到Ｐ極，就構成了二極體的逆向偏壓。如圖7所示。二極體在逆向偏壓下，使Ｎ型區的自由電子遠離接面而移動至電壓正端，Ｐ型區的電洞亦遠離接面而移動至電壓負端，結果ｎ極的正離子與ｐ極的負離子增加，空乏區也隨之加寬。直到位能障壁的電位差等於外加電壓為止。此時Ｐ極與Ｎ極的少數載子因熱能而有限地增加，產生的逆向電流很微小，通常以飽和電流（saturationcurrent,Is）來表示。 圖7外加逆向電壓3.4PN結的伏安特性曲線圖8伏安特性曲線(1)正向特性：當U＞0即處於正向特性區域。正向區又分為兩段：當0＜U＜Uth時，正向電流為零，Uth稱為死區電壓或開啟電壓；當U＞Uth時，開始出現正向電流，並按指數規律增長。(2)反向特性：二極體加反向電壓,反向電流數值很小,且基本不變,稱反向飽和電流。矽管反向飽和電流為納安(ｎΑ)數量級,鍺管的為微安數量級。當反向電壓加到一定值時,反向電流急劇增加,產生擊穿。普通二極體反向擊穿電壓一般在幾十伏以上。(3)二極體的溫度特性：二極體的特性對溫度很敏感,溫度升高,正向特性曲線向左移,反向特性曲線向下移。其規律是：在室溫附近,在同一電流下,溫度每升高1℃,正向壓降減小2~2.5ｍV；溫度每升高10℃,反向電流約增大1倍。3.5二極體的擊穿特性當反向電壓超過反向擊穿電壓UB時，反向電流將急劇增大，而PN結的反向電壓值卻變化不大，此現象稱為PN結的反向擊穿。有兩種解釋 A．雪崩擊穿：當反向電壓足夠高時（U>6V）PN結中內電場較強，使參加漂移的載流子加速，與中性原子相碰，使之價電子受激發產生新的電子空穴對，又被加速，而形成連鎖反應，使載流子劇增，反向電流驟增。B．齊納擊穿：對摻雜濃度高的半導體，PN結的耗盡層很薄，只要加入不大的反向電壓（U<4V），耗盡層可獲得很大的場強，足以將價電子從共價鍵中拉出來，而獲得更多的電子空穴對，使反向電流驟增。注：需要指出的是，發生擊穿並不意味著PN結被損壞。當PN結反向擊穿時，只要注意控制反向電流的數值（一般通過串接電阻R實現），不使其過大，以免因過熱而燒壞PN結，當反向電壓降低時，PN結的性能就可以恢復正常。穩壓二極體正是利用了PN結的反向擊穿特性來實現的，當流過PN結的電流變化時，結電壓UB保持基本不變。3.6二極體的主要參數1、最大整流電流IF。它是二極體允許通過的最大正向平均電流。工作時應使平均工作電流小於IF,如超過IF,二極體將過熱而燒毀。此值取決於PN結的面積、材料和散熱情況。2.最大反向工作電壓UR。這是二極體允許的最大工作電壓。當反向電壓超過此值時,二極體可能被擊穿。為了留有餘地,通常取擊穿電壓的一半作為UR。3.最大整流電流（平均值）IOM。在半波整流連續工作的情況下，允許的最大半波電流的平均值。4.反向電流IR。指二極體未擊穿時的反向電流值。此值越小,二極體的單向導電性越好。由於反向電流是由少數載流子形成,所以IR值受溫度的影響很大。溫度每升高10度漏電流會增加1倍。5.最高工作頻率Fm。Fm的值主要取決於ＰＮ結結電容的大小,結電容越大,則二極體允許的最高工作頻率越低。 6．逆向恢復時間Trr:電路中使用頻率的影響由於P-N接面載子濃度變化率及接面電容效應.使整流作用有一定頻率的限制.。7．VFsurge順向突波電壓:與材料的功率W值成正比.一般測試的波形有8.3ms和10ms(sinewave)兩種.8．Reversesurge逆向突波電流:以正常漏流的一千倍.10ms的短暫高壓突波來衝擊接面.9．DVF:利用材料的負電阻溫度特性.以篩選焊接面不良的產品.方法為先通過一10mA的順向小電流讀取值為VF1.再以5倍的額定電流75ms使接面發熱.間格0.4ms再次通過前述的10mA小電流讀取值為VF2.DVF=VF1-VF2。10．DVZ:設定兩段不同的崩潰電流.如此可限制材料的崩潰斜率.同時對於ride-in及ride-out的材料亦可篩選.一般以10ua來讀取VZ1.再以100UA來讀取VZ2.DVZ=VZ2-VZ1。11．DIR:以額定的逆向電壓加到接面.連續10次讀取IR.取最大值減去最小值為DIR值.此法可篩選漏電流不穩定的材料.4.能帶理論4.1能帶結構能帶理論認為電子能夠導電是因為在外力的作用下電子的能量狀態發生了改變，當晶體中電子受到外力作用時，電子能量的增加等於外力對電子所做的功 也就是在外力作用下，電子k不斷發生改變。由於波矢k在布裏淵區內均勻分佈，在滿帶的情況下，當存在外電場|E|時，滿帶中所有電子都以dk/dt=-q|E|/h逆電場方向運動。T=0K的半導體能帶見圖(a)，這時半導體的價帶是滿帶，而導帶是空帶，所以半導體不導電。當溫度升高或在其他外界因素作用下，原先空著的導帶變為半滿帶，而價帶頂附近同時出現了一些空的量子態也成為半滿帶，這時導帶和價帶中的電子都可以參與導電，見圖(b)。常溫下半導體價帶中已有不少電子被激發到導帶中，因而具備一定的導電能力。圖(c)是最常用的簡化能帶圖。由上述激發過程不難看出：受電子躍遷過程和能量最低原理制約，半導體中真正對導電有貢獻的是那些導帶底部附近的電子和價帶頂部附近電子躍遷後留下的空態(等效為空穴)。換言之，半導體中真正起作用的是那些能量狀態位於能帶極值附近的電子和空穴。 4.2施主能級和受主能級摻入施主雜質的半導體，施主能級ED上的電子獲得能量ΔED後由束縛態躍遷到導帶成為導電電子，因此施主能級ED位於比導帶底Ec低ΔED的禁帶中，且ΔED<NA：在T=0K時，電子按順序填充能量由低到高的各個能級，由於受主能級EA比施主能級ED低，電子將先填滿受主能級EA，然後再填充施主能級ED，因此施主能級上的電子濃度為ND-NA。 通常當溫度達到大約100K以上時，施主能級上的ND-NA個電子就全部被激發到導帶，這時導帶中的電子濃度n0=ND-NA，為n型半導體。當NA>ND時，將呈現p型半導體的特性，價帶空穴濃度p0=NA-ND，如果半導體中：ND>>NA，則n0-ND-NA≈ND；NA>>ND，則p0-NA-ND≈NA。通過補償以後半導體中的淨雜質濃度稱為有效雜質濃度。如果ND>NA，稱ND-NA為有效施主濃度；如果NA>ND，那麼NA-ND稱為有效受主濃度。半導體器件和積體電路生產中就是利用雜質補償作用，在n型Si外延層上的特定區域摻入比原先n型外延層濃度更高的受主雜質，通過雜質補償作用就形成了p型區，而在n型區與p型區的交界處就形成了pn結。如果再次摻入比p型區濃度更高的施主雜質，在二次補償區域內p型半導體就再次轉化為n型，從而形成雙極型電晶體的n-p-n結構。 二.產品制程1．產品種類PackageProcessFamilyTS-1O/JSTDHERFRSF--GPPSTDHERFRSF--SKYSKY-----A-405O/JSTDHERFRSF--GPPSTDHERFRSF--DO-41O/JSTDHERFRSF--GPPSTDHERFRSFTVSZenerSKYSKY-----DO-15O/JSTDHERFRSF--GPPSTDHERFRSFTVSZenerSKYSKY-----DO-201GPPHERTVS----DO-201ADO/JSTDHERFRSF--GPPSTDHERFRSFTVS-SKYSKY-----R-6O/JSTDHERFR---GPPSTDHERFR--- 型號晶粒類型晶粒尺寸焊片大小銅粒類型AR(S)25A/B/DSTD155MIL10-15ΩSQ3.8*0.07AUTO銅粒AR(S)25G/JSTD155MIL20-30ΩSQ3.8*0.07AUTO銅粒AR(S)25A/B/DSTD155MIL30-45ΩSQ3.8*0.07AUTO銅粒AR(S)35A/B/DSTD180MIL10-15ΩSQ4.0*0.07AUTO銅粒AR(S)35G/JSTD180MIL20-30ΩSQ4.0*0.07AUTO銅粒AR(S)35K/MSTD180MIL30-45ΩSQ4.0*0.07AUTO銅粒AR(S)50A/B/DSTD220MIL10-15ΩSQ4.5*0.07AUTO銅粒AR(S)50G/JSTD220MIL20-30ΩSQ4.5*0.07AUTO銅粒AR(S)50K/MSTD220MIL30-45ΩSQ4.5*0.07AUTO銅粒 2.產品外觀package圖示膠體直徑(mm)膠體長度(mm)引線直徑(mm)引線長度(mm)TS-12.0-2.73.0-3.30.53-0.6425.4A-4052.0-2.74.2-5.30.53-0.6425.4DO-412.0-2.74.2-5.20.78-0.8625.4DO-152.6-3.65.8-7.60.7-0.925.4DO-2015.0-5.68.5-9.50.96-1.0625.4DO-201AD5.0-5.68.5-9.51.2-1.325.4R-66.8-7.28.6-9.11.2-1.325.4 3．焊接站3.1焊接原理焊接原理:在金屬A與B中間放置熔點低於金屬A與B的另一種金屬或合金C，通過加熱使金屬或合金C處於熔融狀態，而金屬A與B仍然處於固態，這樣C通過毛細作用或者介面作用而進入A和B，這樣金屬或合金C在冷卻後會將A和B牢固的連接起來。PB-SN二元相圖A.PB-SN相圖根據相存在狀態的不同可以大致分為：液相區、固相區、液固兩相共存區。液相線：高於此溫度為液相。固相線：低於此溫度為固相。液相線和固相線之間為固液兩相共存區。B.從PB-SN相圖可知：PB的熔點為327.5℃，SN的熔點為231.9℃。從共晶點E開始，增加Pb的含量會使液相線溫度的升高，當PB的含量大於81%時，其固相線溫度也急劇的升高，當進一步提高PB的含量時，PB-SN的熔點接近Pb的熔點。C.當PB的含量為90%時，當液態的合金隨溫度冷卻到達1點時，在液態中開始出現A-PB固體，當進一步降低溫度時，液體中A-PB的含量不斷的提高，當到達2點 時，液體消失並全部轉化為A-PB，當進一步降低溫度且溫度沒有到達3點時，其狀態沒有發生變化，當溫度降低到3點以下時，在A-PB中開始析出B-SN。D.現在所用焊片的組成成分為：92.5%Pb+5%Sn+2.5%Ag，固相點287℃，液相點296℃。一般地，峰值溫度=液相點溫度+50℃，所以，92.5%Pb+5%Sn+2.5%Ag焊片，峰值溫度約346℃。3.2潤濕作用液體在與固體接觸時，沿固體表面擴展的現象。又稱為液體潤濕固體。通常用接觸角來反映潤濕的程度。在液、固、氣三相的交界處作液體表面的切線與固體表面的切線(如下圖)，兩切線通過液體內部所成的夾角θ即稱為接觸角。當θ為銳角時，液體在固體表面上擴展，即液體潤濕固體；θ＝0時，叫做完全潤濕；θ為鈍角時，液體表面收縮而不擴展,液體不潤濕固體，簡稱不潤濕；當θ＝π時，稱為完全不潤濕。當固體分子對液體分子吸引力不夠強時，附著層如表面層一樣表現為收縮力，此時接觸角為鈍角，液體不潤濕固體；當固體分子對液體分子吸引力足夠強時，使得附著層中液體分子靠得更加緊密，相互排斥作用轉佔優勢，形成這一層的展延傾向，表現為展延力，此時接觸角為銳角，液體潤濕固體。為了增加材料的焊接性能,對於有些材料採取噴焊油來增加焊接時的潤濕性.微觀上，液體和固體接觸的面記憶體在薄薄一層，該層內的液體分子受到外面固體分子的作用，其性質和液體內部的 不同，稱附著層。附著層表現出和表面張力十分類似的現象，區別在於自由表面永遠是收縮力，附著層存在的可能是一個收縮力，也可能是一個展延力，這決定於相接觸的液體和固體的性質。當固體分子對液體分子吸引力不夠強時，附著層如表面層一樣表現為收縮力，此時接觸角為鈍角，液體不潤濕固體；當固體分子對液體分子吸引力足夠強時，使得附著層中液體分子靠得更加緊密，相互排斥作用轉佔優勢，形成這一層的展延傾向，表現為展延力，此時接觸角為銳角，液體潤濕固體。3.3焊接流程DIODE:引線裝填→下焊片裝填→晶粒裝填→上焊片裝填→（噴焊油）→合盤進爐AUTO:下銅粒裝填→噴焊油→下焊片裝填→噴焊油→晶粒裝填→噴焊油→上焊片裝填→噴焊油→上銅粒裝填→噴焊油→合盤進爐CELL:小銅粒裝填→噴焊油→下焊片裝填→噴焊油→晶粒裝填→噴焊油→上焊片裝填→噴焊油→大銅粒裝填→蓋蓋板反盤進爐3.4焊接爐各區長度及分佈情況A．二極體（CELL）焊接爐S30287、S30288、S30289、S30290、S30336Z6Z4Z2冷却区2缓冲区入口区Z7Z5Z3Z1冷却区3冷却区1加热区單位：mm入口區：117.5加熱區：45*7=315緩衝區：32.5 冷卻區1：90冷卻區2：133冷卻區3：295B35594Z2Z4冷却区2缓冲区入口区Z5Z3Z1冷却区1加热区單位：mm入口區：116.5加熱區：45*5=225緩衝區：36冷卻區1：70.5冷卻區2:331S30344冷却区Z4Z2缓冲区入口区Z5Z3Z1加热区單位：mm入口區：115.5加熱區：45*5=225緩衝區：27.5冷卻區：386爐溫圖 B．AUTO焊接爐B35213B35225B35237B35238B35239B352404酸洗站4.1蝕刻的目的對於O/J產品，由於某種原因在切割時會對晶粒側面造成一定的刮痕，且焊接後的半成品側面存在焊油等有機物和無機物的污染，因此，必須以蝕刻的方式，將焊接後晶粒四周的機械傷害面及髒汙去除，並將切割部位之P/N面角度洗出，使材料的電性得以呈現。4.2蝕刻原理 目前,混合酸:硝酸{（HNO3）/氫氟酸（HF）/冰醋酸（CH3OOH）/硫酸（H2SO4）=9:9:12:4}的蝕刻原理：4HNO3+Si=SiO2+4NO2+2H2O（Si被氧化成SiO2）（1）HF=H++F-（酸液中HF的電離平衡）（2）SiO2+6HF=H2(SiF6)+2H2O（SiO2中Si4+與6個F-絡合成[SiF6]2-）（3）顯然，H+和F-濃度越大，反應越快，且消耗H+和F-是等量的。如果在酸液中加入CH3OOH，因CH3OOH=CH3OO-+H+，故（2）式的平衡向左移動，溶液中F濃度會相應降低，使HF與SiO2反應速度減弱，起著緩衝的作用，使得蝕刻出的矽表面光滑平整。4.3影響蝕刻的因素1）溶液濃度對於蝕刻效果具有重要影響.溶液濃度大則反應速度快,溶液濃度小則反應速度小.因此,要用適當的配比溶液,以控制反應速度.2）溫度對於蝕刻速度具有重要的影響.因此,一般要控制溫度在30-40℃左右,不宜過高或過低。3）反應時間由溶液配比濃度/反應溫度/氧化層厚度來設定.反應時間的長度對於蝕刻有重要的影響.4.4蝕刻量大小對材料電性的影響蝕刻量過小,材料的機械損傷/焊油等有機物和無機物去除不乾淨,蝕刻量過小會使材料的蝕刻梯度不好,對電性有較大影響.蝕刻量過大,會使焊錫和晶粒結合部分比較脆弱,造成材料拉力減小.同時,蝕刻量過大,會使引線與晶粒接觸面積減小,造成VF過大(R=ρL/S,S減小,ρ.L不變,R增大,從而VF增大). 4.5蝕刻流程Doide:混合酸蝕刻(HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4)→拉提沖水→雙磷去離子(H2O2:H3PO4:H2O=1:1:3)→拉提沖水→雙氨鈍化(H2O2:NH3.H2O:H2O=4:1:20)→頂起材料沖水→拉提沖水→三道純水超聲波震盪→三道IPA超聲波震盪→轉入上膠站AUTO:去焊油→烘乾→冷卻→混合酸蝕刻(HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4)→沖水→雙磷去離子(H2O2:H3PO4:H2O=1:1:30)→沖水→雙氨鈍化(H2O2:NH3.H2O:H2O=4:1:20)→沖水→三道純水超聲波震盪→三道IPA超聲波震盪→轉入上膠站CELL:去焊油→烘乾→冷卻→混合酸蝕刻(HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4)→沖水→雙磷去離子(H2O2:H3PO4:H2O=1:1:30)→沖水→雙氨鈍化(H2O2:NH3.H2O:H2O=75:900:1025)→沖水→三道純水超聲波震盪→三道IPA超聲波震盪→轉入上膠站5上膠站5.1上膠目的酸洗後的材料因P/N結裸露,容易受到污染且漏電很大,不能直接使用,必須通過包覆絕緣耐高壓的矽膠以形成良好的絕緣保護層,從而確保其電性.5.2上膠流程DOIDE:酸洗後材料→梳條→烘烤→第一遍膠→抽氣→烘烤→第二遍膠→烘烤酸洗後材料→梳條→烘烤→上膠→烘烤AUTO:酸洗後材料→烘烤→第一遍膠→吸氣→第二遍膠→烘烤→目檢→烘烤 5.3影響上膠品質的因素1）矽膠的上膠量.上膠過少,可能會造成晶粒外漏,材料在壓模時容易造成崩裂.同時,對於晶粒外漏的材料,通常漏電流會很大.上膠過多,不利於壓模時樹脂對矽膠的包覆.2）矽膠的烘烤方式.烘烤方式決定矽膠的物理化學變化.並最終決定矽膠絕緣耐高壓特性的發揮.因此,在使用矽膠時通常要回溫,避免因溫差而導致吸收水氣從而阻礙晶粒電性的發揮.通常,採用階段式烘烤的方式,這樣有利於矽膠在完全固化前將水汽排出.3）矽膠的選用.不同的矽膠對材料的電性發揮有著重要的影響.目前,公司使用的矽膠為:KJR-5033和CF-4195L兩種.5.4矽膠的特點1）固化溫度低，加溫固化時間短，可節省能源，縮短生產週期，並保護電子元件不受高溫環境影響而失去功能. 2）固化收縮率低，熱膨脹係數低，提供低應力的特性 .  3）耐熱性高，最高使用溫度可達260℃.     4）耐低溫性能良好，最低可耐-55℃.  5）可使用溫度範圍大，可使用溫度範圍：（-40℃～260℃）.   6）電阻阻抗高，最高可達1300兆Ω ，熱傳導性佳. 7）以矽橡膠與環氧樹脂共聚合之特殊性能環氧樹脂灌注膠. 6.壓模站6.1.壓模的目的1）保護晶片,防止刮傷.2）防止濕氣/髒汙等進入晶粒,避免腐蝕發生. 3）提高材料的機械強度.4）利於內部產生的熱量及時散去.6.2.壓模流程樹脂預熱→合模→樹脂放入套筒→加熱加壓→開模→烘烤6.3.環氧樹脂1）定義:環氧樹脂（EpoxyResin）是指分子結構中含有2個或2個以上環氧基並在適當的化學試劑存在下能形成三維網狀固化物的化合物的總稱，是一類重要的熱固性樹脂。環氧樹脂既包括環氧基的低聚物，也包括含環氧基的低分子化合物。2）環氧樹脂特性參數流動性：表徵熔融的黑膠在模腔中流動的能力.膠化時間：表徵膠從熔融態轉化為固態的時間.熱膨脹係數：表徵黑膠在受熱的情況下體積變化的參數.比重：表徵黑膠的體積與品質之比例係數.曲折強度：指在單位黑膠面積上面施加壓力，所能承受的壓力值.曲折彈性率：指在單位黑膠表面施加壓力造成彈性變形，所承受最大壓力時候，黑膠彈性形變的比率.熱傳導率：代表黑膠熱量傳遞的能力.3）環氧樹脂的優良特性l力學性能高。環氧樹脂具有很強的內聚力，分子結構緻密，所以它的力學性能高於酚醛樹脂和不飽和聚酯等通用型熱固性樹脂.l附著力強。環氧樹脂固化體系中含有活性極大的環氧基、羥基以及醚鍵、胺鍵、酯鍵等極性基團，賦予環氧固化物對金屬、陶瓷、玻璃、混凝士、木材等極性基材以優良的附著力. l固化收縮率小。一般為1％～2％。是熱固性樹脂中固化收縮率最小的品種之一(酚醛樹脂為8％～10％；不飽和聚酯樹脂為4％～6％；有機矽樹脂為4％～8％)。線脹係數也很小，一般為6×10-5/℃。所以固化後體積變化不大.l工藝性好。環氧樹脂固化時基本上不產生低分子揮發物，所以可低壓成型或接觸壓成型。能與各種固化劑配合製造無溶劑、高固體、粉末塗料及水性塗料等環保型塗料.l優良的電絕緣性優良。環氧樹脂是熱固性樹脂仲介電性能最好的品種之一.l穩定性好，抗化學藥品性優良。不合堿、鹽等雜質的環氧樹脂不易變質。只要貯存得當(密封、不受潮、不遇高溫)，其貯存期為1年。超期後若檢驗合格仍可使用。環氧固化物具有優良的化學穩定性.l環氧固化物的耐熱性一般為80～100℃。環氧樹脂的耐熱品種可達200℃或更高.4）樹脂的組成組成原材料名作用配比%環氧樹脂OCNBISPHENOLA型.脂環型.決定成型時流動性，硬化物的機械電性熱性質等基本特性.18硬化劑酸酐.酚醛樹脂.胺類.與環氧樹脂進行交聯反應.9硬化促進劑潛在促進劑.決定硬化性儲存安全性.<1 填充料矽.熔融矽.結晶矽.調節硬化收縮.熱膨脹率.熱傳導率.機械性質等.70離形劑高級脂肪酸.脫模劑.決定離形性.接著性.<1改質劑SILLCON.低應力化（低模量）.<5其他添加劑著色劑.耐燃劑及其它.可著黑綠等顏色.具有耐燃性及阿其他.<15）樹脂粘度變化由上圖可以看出膠體在加熱過程中粘度，硬度與時間的關係：隨著溫度的升高膠體粘度由大變小到達最大粘度時變大。硬度持續增大。 6）黑膠硬化時間與溫度上圖顯示了黑膠硬化時間與溫度的關係，可以看出溫度越高硬化時間越短。7）黑膠流動性與儲存溫度和儲存時間黑膠在儲存過程中要注意環境的溫度：膠體保存時環境溫度越高則使用時流動特性越差，由下圖最佳的儲存溫度為10攝氏度以下，有效期限為1年。環保樹脂因為其存儲特性更差，所以有效期限為半年。 7.測試站7.1測試目的和原理目的：使用測試機對材料進行電性測試和外觀檢測，剔除不良品，並提供測試資料為持續改善提供依據。原理：用TMT.T一貫機和測試箱對材料進行電性測試，同時利用PC-Link進行資料獲取以作為持續改善依據，並通過目檢挑出不良品。7.2.基本電性參數1）順向電壓（VF）：在接面溫度為常溫時，加以由P至N的額定順向電流，於接面所量測的電壓讀值。量測VF時，必須以四點測試為之，否則由於測端接觸電阻會引起量測的準確性。另外，溫度對VF亦會影響量測值。溫度越高，VF讀值越低。2）最大逆向電壓（VR）：也即PIV的量測，于N面加高電壓直到P面達到額定的逆向漏電流。影響PIV最主要的因素為接面深度及晶片阻值.3）逆向突波電流（Reversesurge）：以正常漏流的1000倍，10ms的短暫高壓突波來衝擊接面。4）逆向漏電流（IR）：于N面加額定高電壓再於P面讀到的逆向漏電流。一般漏電流會隨溫度的增加而增加。溫度每升高10度，漏電流會增加1倍。5）逆向恢復時間（Trr）：電路中使用頻率的影響由於P-N接面載子濃度變化率及接面電容效應，使整流作用有一定頻率的限制。 TRR即為二極體由正向偏壓變為逆向偏壓內部電流I從0A變化到最大值-1A再變為-0.25A的過程.7.3.常見波形SharpShortRoundRide-inRide-outSnapdown8．信賴性學習信賴性實驗通過類比客戶使用過程，以此驗證材料在客戶使用過程的可靠性，發現材料的實效原因作為改善的依據。TestitemTestconditionReferencedStandardJudgeMethod試驗項目試驗條件參考標準判定方式IntermittentOperationalLife(IOL)AxialdiodeandSMD(Tj≧100℃)(2minsON;2minsOFF)MIL-STD-750EMethod1037元器件不具備電氣特性或衰退20%以上，或降至規格以外或IR增大10倍以上(試驗前IR<0.1uA除外).Devicefailedaftertestorchracterschangedabove20%orIRincrease above10times(exceptIR<0.1uA).T0-220&D2-Pak(Tj≧100℃)(3.5minsON;3.5minsOFF)閒歇性壽命試驗TO-3PITOandotherpackage(Tj≧100℃)(5minsON;5minsOFF)OperatinglifeIF=IO,MIL-STD-750E同上Likeitem1壽命試驗100%順向額定電流或Tj=MAXMethod1027.3H.T.R.BVR=80%ratedVRSKY=100℃O/J=125℃GPP=150℃AEC-Q101-C同上Likeitem1高溫反偏試驗JESD22-A108H.T.G.BVR=100%ratedVRAEC-Q101-C同上Likeitem1高溫逆向滿壓試驗SKY=100℃O/J=125℃GPP=150℃JESD22-A108H3.T.R.BTa:85±5℃R.H:85±5%AEC-Q101-C同上Likeitem1高溫高濕反偏試驗VR=80%MAX(VR<100V)&VR=100V(VR>100V)JESD22-A101Autoclave(A.C)Ta=121±2℃15Psig(1.057kgf/cm2)AEC-Q101-C同上Likeitem1壓力鍋試驗JESD22-A102HumidityTa:85±5℃R.H:85±5%MIL-STD-750E同上Likeitem1高溫高濕試驗Method1021.2Hightemp.storageTa=150(+10/-0)℃AEC-Q101-C同上Likeitem1高溫儲存試驗JESD22-A103Lowtemp.storageTa:-55±3℃AEC-Q101-C同上Likeitem1低溫儲存試驗JESD22-A119SolderingheatTa:260±5℃AEC-Q101-C同上Likeitem1沾錫抗熱試驗JESD22-B106Temperaturecycling150℃(+15,-0)/15mins,25℃/5mins,-55℃(+0,-10)/15mins;AEC-Q101-C同上Likeitem1溫度循環試驗JESD22-A104Thermalshock100℃/5mins0℃/5minsAEC-Q101-C同上Likeitem1冷熱衝擊試驗JESD22-A106ForwardsurgePeakForwardSurgecurrentMIL-STD-750E同上Likeitem1順向突波實驗8.3mshalfsine-waveMethod4066.4ESDMM:400V(C=200pfR=0Ω)AEC-Q101-001&002IEC-6100-4-2同上Likeitem1靜電測試試驗HBM:8KV(C=100pfR=1500Ω)　　MM&HBM:15KV(C=150pfR=330Ω)Friwo專用 SaltAtmosphere(SA)T:35~38℃AEC-Q101-C元器件腐蝕面積大於5%.Above5%areawascorroded.鹽霧試驗PH=6~7.5JESD22-A107BSolderabilityTa=245±5℃AEC-Q101-C大於本體5%面積覆蓋不均勻，凹凸不平或裂痕。Above5%areaplatinglayernotevenorcracked.沾錫附著性JESD22-B102D9.失效分析9.1失效分析流程失效分析流程：失效資訊→外觀檢測→結構檢測→初期電性測試→解剖檢測及照片。A．檢驗是否有外觀不良：包括型號印字，包裝及引線外觀檢驗。鍍層測試機可以測試鍍層厚度，確認其鍍層是否合格。B.確認失效模式及失效率。用示波器拉側材料，看其波形是sharp,short，open還是round；或者用電性測試機測其VR,VF,IR,TRR,△VR等。初步確認其失效模式。C.通過X-Ray觀察內部結構是否有問題，膠體內是否有焊接氣泡或吸球，晶粒位置是否偏移，是否有冷焊和虛焊現象，比較明顯的晶粒裂痕也可以觀察到。D.對材料進行去除膠體處理（HNO3:H2SO4=4：1），可以觀察其內部焊接結構。E.用HNO3:水大約1：1的比例，可以去銅和去錫，從而將晶粒分離出來，經過超聲波振盪清洗後放在SEM下面觀察，可以觀察到晶粒表面的burnmark或者是crack現象。F.整理分析結果，找出失效原因，寫分析報告。9.2主要分析設備及儀器主要分析儀器及設備：光學顯微鏡，示波器，X-Ray，電子顯微鏡（SEM），超聲波振盪清洗器，離子蒸鍍機。儀器名稱真空條件樣品要求理論空間解析度最大放大倍數景深無開封360nm1200小 光學顯微鏡掃描電子顯微鏡高真空開封，去包裝層5nm50萬大名稱應用優勢應用原理光學顯微鏡應用簡單，方便操作表面為曲面的玻璃或其他透明材料製成的光學透鏡可以使物體放大成像X-ray以低密度區為背景，觀察材料的高密度區的密度異常點透視X光被樣品局部吸收後成像的異常SEM景深大，圖像的放大範圍廣，解析度也比較高在物鏡上部的掃描線圈的作用下，電子探針在樣品表面作光柵狀掃描並且激發出多種電子信號。這些電子信號被相應的檢測器檢測，經過放大、轉換，變成電壓信號，最後被送到顯像管的柵極上並且調製顯像管的亮度10.SPCSPC(StatisticalProcessControl)統計過程式控制制：是一種借助數理統計方法的程式控制工具。10.1SPC的目的在生產過程中，產品的加工尺寸的波動是不可避免的。它是由人、機器、材料、方法和環境等基本因素的波動影響所致。波動分為兩種：正常波動和異常波動。正常波動是偶然性原因（不可避免因素）造成的。它對產品品質影響較小，在技術上難以消除，在經濟上也不值得消除。異常波動是由系統原因（異常因素）造成的。它對產品品質影響很大，但能夠採取措施避免和消除。程式控制的目的就是消除、避免異常波動，使過程處於正常波動狀態。 10.2技術原理統計程式控制（SPC）是一種借助數理統計方法的程式控制工具。它對生產過程進行分析評價，根據回饋資訊及時發現系統性因素出現的徵兆，並採取措施消除其影響，使過程維持在僅受隨機性因素影響的受控狀態，以達到控制品質的目的。當過程僅受隨機因素影響時，過程處於統計控制狀態（簡稱受控狀態）；當過程中存在系統因素的影響時，過程處於統計失控狀態（簡稱失控狀態）。由於過程波動具有統計規律性，當過程受控時，過程特性一般服從穩定的隨機分佈；而失控時，過程分佈將發生改變。SPC正是利用過程波動的統計規律性對過程進行分析控制的。因而，它強調過程在受控和有能力的狀態下運行，從而使產品和服務穩定地滿足顧客的要求。10.3術語和名詞解釋平均值：一組測量值的均值。極差：一個子組,樣本或總體中最大值與最小值的差。分佈寬度：一個分佈從最大值到最小值的間距。穩定性：不存在變差的特殊原因,處於統計控制的狀態。標準差：過程輸出的分佈寬度或從過程中統計抽樣值的分佈寬度。變差：過程的單個輸出之間不可避免的差別;變差的原因可分成為兩類:普通原因和特殊原因。過程能力：過程能力是指過程處於受控狀態下（不存在變差的特殊原因）的實際加工能力。PPK：性能指數。CPK：穩定的過程能力指數。過程：一組將輸入轉化為輸出的相互關聯或相互關係的活動。10.4極差與標準差極差：一組資料中的最大值減去最小值R=MAX-MIN,用來表示資料的離散度。標準差σ：總體標準差=樣本標準差= 標準差的意義：一組數中各單個值與總體平均數之間的平均離差，說明改組數的離散程度。標準偏差與極差的關係（對於給定的樣本容量,平均極差---R越大,標準偏差----σˆ越大）10.5變差變差：過程的單個輸出之間不可避免的差別。普通原因（隨即原因、偶然原因）特殊原因（可查明原因）說明方面是由許多單獨的原因所構成是有一個或只有少數幾個單獨原因所構成任何一個普通原因只會產生微小的變差，但許多普通原因在一起的作用，其產生的總變差是可觀的任何一個特殊原因都會造成較大的變差例子：在調整控制刻盤時的人為的變差；機器的輕微震動：原材料的微小變化例子：操作人員的錯;一個錯誤的裝置；一批不合格的原材料解釋方面普通原因的變差（正常變差）無法從工序中以較少代價消除特殊原因的變差（異常變差）能被檢測出來，採取措施，消滅其原因，所華的代價通常是合算的如果僅僅是有普通原因的變差出現，則說明工序時最良好的運行；如工在這種情況錫阿生產出不合格品，就說明工序根本的改變（改造），或者必須修改工差，減少不合格品數量如果出現特殊原因的變差，則說明蓋工序並不是最良好的運行如果一個觀察值落在普通變差的控制限之內，所明該工序不必要進行調整如果一個觀察制落在普通原因變差得工治限之外，說明該工序必須進行檢查並加以糾正如果只有普通原因變差存在，說明工序痕穩定，可以運用戳洋程式來預測全部生產的品質，或進行工序的優選研究（如調優運算）如果出現特殊原因變差，說明該工序不夠穩定，不足以運用抽樣程式進行預測 10.6過程能力與過程能力指數A．過程能力過程能力是指過程處於受控狀態下（不存在變差的特殊原因）的實際加工能力。一個穩定過程的固有變差的總範圍•過程能力是由造成變差的普通原因造成•工序能力高時：產品品質出現異常的幾率越小•工序能力低時：產品品質出現異常的幾率越大B．過程能力指數（Cp)•過程能力用過程能力指數來加以量化無偏情況存在偏移時•Cp=T/6σCpk=(T-2ε)/6σ–T=（USL-LSL)ε=|Xbar-(T/2)|–USL:公差上限–LSL:公差下限Cpk值的判定原則Cpk值處理原則1.67≦Cpk無缺點考慮降低成本1.33≦Cpk≦1.67維持現狀1≦Cpk≦1.33有缺點發生Cpk≦0.67採取緊急措施，進行品質改善，並研討規格11.MSA11.1測量系統與測量系統分析測量系統：用來對被測特性定量測量或定性評價的儀器或量具、標準、操作、方法、夾具、軟體、人員、環境和假設的集合；是用來獲得測量結果的整個過程。 測量系統分析(MSA)：用於分析測量系統對測量值的影響，強調儀器和人的影響。我們對測量系統作分析，以確定測量系統的統計特性的量化值，並與認可的標準相比較。11.2MSA基本概念MSA：測量系統分析—用於分析測量系統對量化測量值的影響；變差：由人、材料、方法、儀器和/或環境引起；分辨力：測量系統探測被測值最小變化的能力；準確度：測量值對照已知標準值的絕對正確程度；精密度：測量系統產生或複製讀數的能力；總變差：製造過程變差+測量系統變差；控制圖：把系統或過程資料即時用圖形表示，以幫助分析變差，並在過程失控時對失控原因作出反應；方差分析（ANOVA）：使用數學的方法，如複雜運算統計表,平方和,控制圖和圖形比較，分析方差或分析資料中發現的變數。偏倚：觀測均值和基準之間的差別穩定性：沒有特殊原因變差(也稱為漂移)的統計控制狀態，是測量系統在某個延展的時間內，測量同一標準件或零件的的單一特性所獲得的總變差。線性：量具的量程內偏倚值的差GR&R：量具的重複性和再現性=(儀器+評價人)變差重複性：同一評鑒人員用同一測量儀器測量多次測量同一零件的同一特性所獲得的測量變差。再現性：不同評鑒人員用同一測量儀器測量同一零件的同一特性所獲得的測量平均值的變差12.PPAP12.1PPAP規定PPAP(ProductionPartApprovalProcess)：生產件批准程式，規定了生產件批准的一般要求，包括生產和散裝材料。PPAP的目的地是用來確定供方是否已經正確理解了顧客工程設計記錄和規範的所有要求，並且在執行所要求的生產節拍條件下的實際生產過程中，具有持續滿足這些要求的潛能。 PPAP必須適用於散裝材料、生產材料、生產件或維修件的內部和外部供方現場。對於散裝材料，不要求PPAP，除非顧客要求。所有有關PPAP的問題均應向批准你產品的部門提出，任何PPAP的特許都必須有客戶的認可檔。“必須”(SHALL)：表示強制執行的要求；“應該”(SHOULD)：表示強制的要求,但在方法上允許有一些靈活性；生產件（PRODUCTIONPART）：在生產者現場，用生產工裝、量具、工藝過程、材料、操作者、環境和過程設置，如：進給量/速度/迴圈時間/壓力/溫度等的過程設置下被製造出來的部件。用於PPAP的產品必須取自重要的生產過程。該過程必須是1小時到8小時的生產，且規定的生產數量至少為300件連續生產的部件，除非顧客授權的品質代表另有規定。生產件批准提交（PRODUCTIONPARTAPPROVALSUBMISSION）：以從重要的生產過程中抽取特定數量的生產件或生產材料為基礎，該生產過程是用生產工裝、工藝過程和迴圈次數來進行的。這些用於生產件批准而提交的零件或材料要由供方驗證滿足所有設計記錄上規定的要求。完全批准（FULLAPPROVAL）:在PPAP中用來表明零件或生產材料滿足所有顧客規範和要求。供主因此獲得授權，按照顧客計畫部門要求的生產數量發運零件或材料。臨時批准是在有限的時間或零件數量的前提下，允許運送生產需要的材料。批准（APPROVED）：在PPAP中，指提交給顧客的或由顧客評審的零件、材料和/或有關檔或記錄，滿足所有的顧客要求。完全或臨時批准後，授權供方直接向顧客發運產品。以下僅對散裝材料的PPAP：1）“批准”要求一個簽字或中頭批准的記錄；2）任何口頭批准的記錄必須包括日期、批准範圍、准予批准的顧客代表姓名，和涉及到的供方代表姓名；3）“顧客同意”不要求簽字或記錄。過程（PROCESS）：是一個產生輸出，即某種產品或服務的人、設備、方法、材料和環境的組合。一個過程能包含一項業務的任何方面。有效的生産：該過程必須在生產現場使用與生產環境同樣的工裝、量具、過程、材料和操作工進行生產。來自每一個生產過程的部件，如：相同的裝配線和/或工作單元、多腔沖模、鑄模、工具或模型的每一位置，都必須進行測量並對代表性樣件進行試驗。12.2提供PPAP的情況①一種新的零件或產品(包含未曾給某個顧客的某種零件、材料或顏色)；②對以前提交零件不符合的糾正；③由於設計記錄、規範或材料方面的工程更改引起產品的改變；④下表要求的任一種情況。要求說明或舉例 1.和以前批准的零件或產品相比,使用了其他不同的加工方法或材料例如，在一個偏差（允差）上標明的或設計記錄中作為注解包括進去的不同的加工方法，且又沒有包含在表Ⅰ.3.2和3描述的工程更改中。2.使用新的或改進的工裝(不包括易損工裝)、模具、鑄模、模型等，包括附加的或替換用的工裝。本要求只適用於根據其獨特的形式或功能，可能影響到最終產品完整性的工裝。並不意味著對標準工裝（新的或維修過的），例如標準測量裝置、起子（手動或電動）等的描述。3.在對現有的工裝或設備進行翻新或重新佈置之後進行生產是指對工裝或機器改造或改進，或增加其能力、性能、或改變它現有的功能。不要和正常的維護、修理、或零件更換等相混淆，這些工作還會引起性能上的改變，而且在其後還有維修驗證的方法加以保證。重新佈置定義為過程流程圖（包括新過程的加入）中規定的內容相比，對生產/過程流程的次序進行更改的那些活動。可能要求對生產設備進行微小高速以滿足安全要求，安裝防護罩、消除潛在ESD風險等等。這些更改可以不用顧客批准，除非該調整改變了過程流程。4.生產是在工裝和設備轉移到不同的工廠或在一個新增的廠址進行的。生產過程工裝和/或設備在一個或多個場地中的建築或設施間轉移。5.分承包方對零件非等效材料或服務(如:熱處理、電鍍)的更改，從而影響顧客的裝配、成型、功能、耐久性或性能的要求。供方負責對分承包方的材料和服務進行批准，使其不影響顧客裝配、成型、功能、耐久性或性能的要求。6.在工裝停止批量生產達到或超過12個月以後重新啟用而生產的產品。對於工裝停止批量生產達到或超過12個月以後生產的產品：若該零件一直沒有採購定單且現有工裝已經停止批量生產達到或超過12個月時，要求通知顧客。唯一例外是當該零件是以小批量方式生產的，如維修件或專用車零件。然而，顧客可能對維修零件規定特定的PPAP要求。7.涉及由內部製造的，或由分承包方製造的生產產品部件的產品和過程更改。這些部件會影響到銷售產品的裝配性、成型、功能、性能和/任何影響顧客要求的裝配性、成型、功能、性能和/或耐久性的更改均要求通知顧客。注：關於裝配性、成型、功能、性能和/或耐久性的要求應該是在合同評審時達成一致的顧客技術規範的一部分。 或耐久性。另外，在提交顧客之前，供方必須就分承包方提出的任何申請，先與分承包方達成一致。8.僅適用於散裝材料：新的或現有的分承包方提供的具有特殊特性的原材料的新貨源。在沒有外觀規範的情況下，產品外觀屬性的更改。在相同的過程中變更了參數（屬已批准的產品的PFMEA參數以外部分，包括包裝）。已批准的產品的DFMEA（產品組成、成分等級）以外部分的更改。通常這些更改對產品的性能有影響。9.試驗/檢查方法的更改——新技術的採用（不影響接收準則）。對於試驗方法的更改，供方應有證據表明新方法提供的結果與老方法的等效性。12.3PPAP的內容供方必須滿足所有的規定要求，PPAP需要包含以下內容：1)設計記錄；2)工程更改檔；3)工程批准；4)設計失效模式及後果分析(設計FMEA)；5)過程流程圖；6)過程失效模式及後果分析(過程FMEA)；7)尺寸結果；8)材料/性能試驗結果的記錄；9)初始過程研究：本要求的目的是為了確定生產過程是否有可能生產出能滿足顧客要求的產品。12.4品質指數品質指數：Cpk-穩定過程的能力指數Ppk-性能指數接受準則：對於穩定過程，必須採用以下的接受準則： 結果說明指數>1.67該過程目前能滿足顧客要求。批准後即可開始生產，並按照控制計畫進行。1.33≤指數≤1.67該過程目前可被子接受，但是可能會要求進行一些改進。與你的顧客取得聯繫，並評審研究結果。如果在批量生產開始之前仍沒有改進，將要求對控制計畫進行更改。指數<1.33該過程目前不能滿足接受準則。與適當的顧客代表取得聯繫，對研究結果進行評審。13.APQP13.1APQP定義與目的APQP(AdvancedProductQualityPlanning)：是一種結構化的方法，用來確定和制定確保某產品使顧客滿意所需的步驟。APQP對內外部供應商提出共同的要求，通用的過程表格、共同的狀態報告格式使所有參加該專案的人員和行為便於溝通，確保所有開發階段按時，以可接受的成本和品質水準完成。13.2術語DFMEA：是將產品設計變更中的思路檔化，作為未來產品設計的開發的輸入。包括產品開發階段的早期產品失效模式；產品設計安全涉及的問題；重要/關鍵/特殊特性。DFMEA是一種評定失效可能性及失效影響的分析工具。DFMEA是一種動態檔，隨顧客需要和期望不斷更新，DFMEA的制定為小組提供了評審以前選擇的產品和過程特性和作出必要補充、改變和刪減的機會。PFMEA：是製造職責小組使用的確保已經考慮並解決了潛在的與過程相關的失效模式及其相關原因的系統化的方法。PFMEA是對新的/修改的過程的一種規範化的評審和分析，為新的/修改的過程指導其預防，解決或監控潛在的過程問題。PFMEA是一種動態檔，當發生失效模式時需要對它進行評審和更新。控制計畫(樣件控制計畫、試生產控制計畫、生產控制計畫)：1)樣件控制計畫：在製造過程中，對尺寸測量和材料與性能試驗的描述。2) 試生產控制計畫：在樣件試製後，全面生產之前所進行的尺寸測量和材料與性能試驗的描述。1)生產控制計畫：在大批量生產中，將提供產品/過程特性，程式控制，試驗和測量系統的綜合檔。13.3APQP階段流程第一階段計畫和確定項目輸入輸出顧客呼聲；設計目標業務計畫/行銷策略；可靠性和品質目標產品/過程指標；初始材料清單產品/過程設想；初始過程流程圖產品可靠性研究；特殊產品和過程特性的初始清單顧客輸入；產品保證計畫服務；管理者支援第二階段產品設計開發和驗證輸入輸出設計責任部門的輸出產品品質策劃小組的輸出設計目標DFMEA新設備、工裝和設施要求可靠性和品質目標可製造性和裝配的設計特殊產品和過程特性初始材料清單設計驗證樣件控制計畫初始過程流程圖設計評審量具/試驗裝置的要求特殊產品和過程特性的初始清單樣件製造-控制計畫DFMEA的更新工程圖樣小組可行性承諾和管理者支持產品保證計畫材料規範管理者支援圖樣和規範更改第三階段過程設計開發和驗證 設計責任部門輸入輸出DFMEA包裝標準可製造性和裝配的設計產品/過程品質體系評審設計驗證過程流程圖設計評審場地平面佈置圖樣件製造-控制計畫特性矩陣圖工程圖樣PFMEA材料規範試生產控制計畫圖樣和規範更改過程指導書產品品質策劃小組輸入輸出新設備、工裝和設施要求測量系統分析計畫特殊產品和過程特性初始過程能力研究計畫樣件控制計畫包裝規範量具/試驗裝置的要求管理者支援DFMEA的更新其他的輸出小組可行性承諾和管理者支持更新的設備、工裝、設施的清單更新的過程流程更新的PFMEA 第四階段產品和過程確認輸入輸出包裝標準；試生產產品/過程品質體系評審測量系統評價過程流程圖；初始過程能力研究車間平面佈置圖；生產件審批特性矩陣圖；生產確認試驗PFMEA包裝評價試生產控制計畫；生產控制計畫過程指導書；品質策劃認定和管理者支持測量系統分析計畫；初始過程能力研究計畫；　包裝規範；　管理者支援。　'