美国半导体行业超纯水水质标准.doc 2页

'美国半导体工业用纯水指标项目检测限度1MDEAM水质要求1MDEAM可接受的水质<1μmVLSIVLSI①目标电阻率（MΩ.cm)18.218.21818.218.2TOC(μg/L)5<10<30<105THM(μg/L)<1--<3-粒子数/LSEM法　　　　　0.1～0.2μm---<1500<10000.2～0.3μm--<2000<800<5000.3～0.5μm-<200<200<50<10〉0.5μm-<1<1<1<1粒子数/L激光法　　　　　0.3～0.5μm<1--<50<10〉0.5μm<1-<100<1<1细菌数/100mL　　　　　培养法<10<500SEM法-<1<10<50EPI法　<5<50<10<1溶解的SiO2(μg/L)0.25<0.4431硼(μg/L)0.05<0.0520.0005　离子(μg/L)　　　　　Na+0.05<0.050.10.025　K+0.1<0.010.10.05　Cl-0.05<0.050.10.025-Br+0.1<0.10.10.05　NO3-0.1<0.10.10.5-SO24-0.10.30.050.2<0.05总离子0.5<0.5<1.7<0.2-残留物（mg/L)<0.1<0.1<0.1<0.05-*Temperatureandpressurevaluestobedetermined 金属(μg/L)　　　　　Li0.03<0.030.050.003-Na0.05<0.050.10.005-K0.05<0.050.10.005-Mg0.02<0.020.050.002-Ca2<2<2.00.002-Sr0.01<0.010.050.001-Ba0.01<0.050.050.001-B0.05<0.0520.005-Al0.05<0.020.050.005-Cr0.02<0.020.050.002-Mn0.02<0.020.050.002-Fe0.1<0.020.10.002-Ni0.02<0.020.050.002-Cu0.02<0.020.050.002-Zn0.02<0.020.050.002-Pb0.05<0.050.050.005-*Temperatureandpressurevaluestobedetermined'