半导体行业专业知识 wafer知识.doc 6页

'PIE0l9M#l3M!v1.何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?%c%S*f1[&*]2Z#I4V4~5i答：ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率（yield）稳定良好。!a;c+o8}1A:p0J*E5H2.200mm，300mmWafer代表何意义?%C2a5R,m5q(G6Q2P答：8吋硅片(wafer)直径为200mm,直径为300mm硅片即12吋.*Y6C%g;w0T(n4H8d-h4@3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？7U5N  N+V)s%`3d0o1}答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。7R(l9u-@2@$?(P+V1B4.我们为何需要300mm?:N4k0X"c6e,?%N.P答：wafersize变大，单一wafer上的芯片数(chip)变多，单位成本降低8w#P8S2b/p6w7I2A  c%|200→300面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍!H"t!e*j9`&k:O7D#h9]3@9y#I  P(X3K"o(t/b.q&{)W"j/S5W&B$"m/|5.所谓的0.13um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？8U"V%g/w2[,y答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。$@"M9~"u3]1h$_.{6.从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um的technology改变又代表的是什幺意义？1d)3k#p  ?#T:s1H答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um->0.25um->0.18um  ->0.15um->0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升。,S2h"`-s)N.H(N7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N,P-typewafer?2O7h0x!Z3[1}%S#|)答：N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例如：B、In)的硅片。1L4y(|4}"m/T.w)d8t.{#W)A2U8M(Y(*^&@;H8.工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？2i/Z#Q7]3k6K.p7d+U,e答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子    注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。&W%l$A.I!r:R.x&G.v9.一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数(masklayer)来代表硅片工艺的时间长短，请问几P几M及光罩层数(masklayer)代表什幺意义？#r6V9w3S"I-N9z-f"O;{答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um的逻辑产品为1P6M(1层的Poly和6层的metal)。而"];s:h"T*J+h光罩层数（masklayer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO（光刻）.1d%]2W%&s8S)J%n0L10.Wafer下线的第一道步骤是形成startoxide和zerolayer?其中startoxide的目的是为何？%@2x%_1y-x-g(O答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面。  Q7I(?%}/?)E8U②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。2U"?-y)`#h#] 11.为何需要zerolayer?.G/j:s*_"a/u$L答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的,各层次之间以zerolayer当做对准的基准。5|(r  T+M/w)M"U12.Lasermark是什幺用途?WaferID又代表什幺意义?3N;@3e1E4i9t$T/f答：Lasermark是用来刻waferID,WaferID就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。  x1V#f1o8R)x6D13.一般硅片的制造(waferprocess)过程包含哪些主要部分？!N*_*V0`+B答：①前段（frontend）-元器件(device)的制造过程。:i5|)B2X3y0K*{.b:M②后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）+o5G%q7o,M"P,^+X(v14.前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?:F:_:};L5?答：①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)  8A*p1_!Z*V)_*L9|②阱区离子注入（wellimplant）用以调整电性-u(b.e9s"F1B-W:d:a"E③栅极(polygate)的形成;a.w+H0{5n)G#Q&N$T④源/漏极（source/drain）的形成",T/:O"9o&Z⑤硅化物(salicide)的形成1L"|:i+f-F15.STI是什幺的缩写?为何需要STI?"I3y3?+y1W1W&^:L答：STI:ShallowTrenchIsolation(浅沟道隔离)，STI可以当做两个组件（device）间的阻隔,避免两个组件间的短路."^"~%a%D,W.b2V  f-d#Q._:_*h7e/M8D:Q1{  z1_&~16.AA是哪两个字的缩写?简单说明AA的用途?"B%i4q:p2m  e  `1A*a&b答：ActiveArea,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。3];S7@7C2U"A9s-u,w:I6i8|17.在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？)M6`$n%a3]3J答：①STIetch（刻蚀）的角度；0C"t2I-~-~#G②STIetch的深度；1A3x-T&u*y%j"z  m7f8y③STIetch后的CD尺寸大小控制。7q$K3M2S;G8l11o1u  x(CDcontrol,CD=criticaldimension).?*r9C%c(l18.在STI的形成步骤中有一道lineroxide（线形氧化层）,lineroxide的特性功能为何？$K.a7G"l3d9M$o8l*i*G*O答：Lineroxide为1100C,120min高温炉管形成的氧化层，其功能为：/^#?"f&o(j/@&m6M5U%Q①修补进STIetch造成的基材损伤；9R1t;h2i8E7X②将STIetch造成的etch尖角给于圆化(cornerrounding)。;Z.]/h;c8R9C)R5S-d;b3r({1Q4c6Q2]0^8+p0];z%N$z%o  {"q9X"D2R"q5Z2@9c:~0~5e8C6}&T3R&O"s"}+l83}3J9i4V:m$r:@!o/a  |19.一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤?功能为何？)P"p.v0j2{7E,m)]5u答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：#E"l  a1_*{([①WellImplant：形成N,P阱区；/d8s"m#x2b"y#{②ChannelImplant：防止源/漏极间的漏电；1f9f9d&L1s8G③VtImplant：调整Vt（阈值电压）。 1h6{%N8t3k-l5b4r6F)}20.一般的离子注入层次（Implantlayer）工艺制造可分为那几道步骤?7E$M+k#V!P"h/^/T答：一般包含下面几道步骤：+L!]4Z/J)f#(?0z!i+K①光刻(Photo)及图形的形成；8B3N4C!O.}8H#]0]!p8o%i②离子注入调整；#b"M5z2m/B)o&E③离子注入完后的ash(plasma(等离子体)清洗)$a:N#B+Q$|,^+M%p(f  @%④光刻胶去除（PRstrip）8m4`.H.m*e21.Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?*~1K2G"F$I:S(J-r#k答：①Gateoxide(栅极氧化层)的沉积；  c(N7l&c3r0"]/q+x②Polyfilm的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质)的沉积）；  B2^4#o,U3o1l.S%x*H7z③Poly图形的形成(Photo)；+]!Q3`/f  F④Poly及SiON的Etch；-X$F&V)h)E!{5H3e*x⑤Etch完后的ash(plasma(等离子体)清洗)及光刻胶去除（PRstrip）；3r7I!M0U*p;^8~2O#I(o-H/⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。8m7p-P6Y-T+a5F*}8]0}*W22.Poly（多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？,B3p2K5i;E&T答：①Poly的CD(尺寸大小控制；4c3p#x.K)w"n②避免Gateoxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损."`0]"W9r(@.U.W23.何谓Gateoxide(栅极氧化层)?8R7P#^.x"J答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gateoxide,可调节栅极电压对不同器件进行开关+[  T4I  b2P.N7t"F*l7R6k1L9*d  k2{$y2Z&h24.源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?(k8J8T  _:~2i4S3A!^答：①LDD的离子注入（Implant）；4g$}4O&C(a7q&O%l$p+E②Spacer的形成；6|+{7`"C*X.`0K③N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：RapidThermal  Anneal)。$^-T!z0M0O3x!k25.LDD是什幺的缩写?用途为何?9}$L-p#v4S3a4X答：LDD:LightlyDopedDrain.LDD是使用较低浓度的源/漏极,以防止组件产生热载子效应的一项工艺。5u%P.m;u8c;E5B5{26.何谓Hotcarriereffect(热载流子效应)?-k&L!Y6t"?4a$I:`答：在线寛小于0.5um以下时,因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应,此热载子效应会对gateoxide造成破坏,造成组件损伤。  w%2z-q8E(f0K27.何谓Spacer?Spacer蚀刻时要注意哪些地方？"_5};g!z"U9g9M-b  Q答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)，及remainoxide(残留氧化层的厚度):u*y+_/A  c28.Spacer的主要功能?7o"a7~;I*w6h$b  y&~;I8v1t答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;4$n:`5B9K2D7r*j1w$[②作为ContactEtch时栅极的保护层。0l8C8N.l"C2r29.为何在离子注入后,需要热处理(ThermalAnneal)的工艺?  m%K%{&v1`"X"s:q答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;0c#V*{)J!m8H$S②使注入离子扩散至适当的深度;1G.T&]1U0s0M5]"s③使注入离子移动到适当的晶格位置。(s0y8r,w5V0`(l30.SAB是什幺的缩写?目的为何？:p:J4R7Q,a 答：SAB：Salicideblock,用于保护硅片表面，在RPO(ResistProtectOxide)  的保护下硅片不与其它Ti,Co形成硅化物(salicide)-`/g6p:b0M:{5s1s!A:i&Y31.简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?/g+k*V/J7V+p9N!m-R答：①SAB光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。2X&S5X8C7q"i*s1{4O2h/[②remainoxide(残留氧化层的厚度)。1W2_"e:{4S0S9q9h2U3T"m"R;E7S1u&n2T%d$o(y8#D1m-k+?#A.O+A32.何谓硅化物(salicide)?8g#e;@&`;@6y0C答：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix,一般来说是用来降低接触电阻值（Rs,Rc）。#V&`0H  t,b%R"j$|7k33.硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?3w:[*i:{,a!X%E答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；,Q*I*h"o+f4F  Z②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。;t:u5c.K  D③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。1C0i  n0L0b9r,{&A/C④第二次RTA  (用来形成Ti的晶相转化,降低其阻值)。2Z2U)b%D7^&O%s"t5z34.MOS器件的主要特性是什幺？:W,w(V1K.g&u.y"X答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。0f7T(k(a)]:i-y+I9X3k9S35.我们一般用哪些参数来评价device的特性？+T%z"v(J4|+}答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk(breakdown)值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.  T3k+i!u7w.S3L36.什幺是Idsat?Idsat代表什幺意义？;d/^$T!k"v,h)P答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.  H&n/_"X5U!W37.在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?"|  U9m%x;Y/s0k0_答：PolyCD(多晶硅尺寸)、GateoxideThk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vtimp.条件、LDDimp.条件、N+/P+imp.条件。)?3b+I!]%u,b2g4}:@(Y/K38.什幺是Vt?Vt代表什幺意义？(G,c0Q%i$U9}3q答：阈值电压（ThresholdVoltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg