半导体行业功率半导体系列报告（二)：功率MOSFET，非慎行无以度厄，非研发无以致远 19页

'内容目录1专精于高频领域，预计2022年功率MOSFET全球市场规模可达85亿美元41.1作为电压驱动的全控式单极型功率器件，功率MOSFET专精于高频领域41.2宽禁带半导体材料迭代引领功率MOSFET性能演进51.3受益于世界的电动化、信息化以及对用电终端性能的更高追求，预计2022年功率MOSFET市场规模可达亿85美元72长期来看，恒逐峰者可览众山102.1低端控本高端重质，生产工艺演进进程决定功率MOSFET不同层次102.2长远来看单类MOSFET产品层次会由高端向低端逐年下移，研发实力为功率MOSFET企业核心竞争力123中期来看，善驭风者助行高远133.1国际巨头垄断国内市场，“进口替代”空间利好纯设计企业133.2成本控制能力强的中国企业有望承接全球中低端产品的产能转移趋势154短期来看，久慎行者易御危厄154.1供弱需强，连续5个季度价格上涨帮助具备产能优势的功率MOSFET企业快速增长154.2供强需弱，销售渠道优质、经营性现金流良好的企业更易熬过危机175投资策略186风险提示19 图表目录图表1全球功率半导体市场结构（2017）4图表2全球功率器件及模组市场结构（2017）4图表3功率器件分类维度及其对应性能特点4图表4功率半导体主要应用领域5图表5MOSFET的分类方式6图表6不同类型功率MOSFET的应用领域6图表7功率MOSFET的技术演进方式6图表8主流功率MOSFET的类型7图表9需求功率MOSFET的主要下游行业7图表10汽车电动化后单车半导体用量变化8图表11功率MOSFET在汽车中的应用8图表12数据中心的功率传输途径8图表13英伟达RTX20809图表14英伟达不同显卡产品所需供电相数变化9图表152016-2022年功率MOSFET市场空间测算9图表16功率MOSFET的分层方式10图表17低端功率MOSFET的特点10图表18中端功率MOSFET的特点11图表19高端功率MOSFET的特点11图表20各层次功率MOSFET部门的核心竞争力11图表21汽车电子领域功率MOSFET特有认证需求（部分）12图表22功率MOSFET市场结构（2018）13图表23功率MOSFET市场结构（2023）13图表24全球功率MOSFET市场占比（2017）14图表25中国功率MOSFET市场占比（2017）14图表26国内功率半导体厂商的成本优势15图表27近年来国际厂商放弃中低端MOSFET市场的事件15图表282017年国内MOSFET厂商涨价事件（部分）16图表292018年第三季度功率MOSFET市场供需状况16图表30价格的上涨对于厂商的影响16图表312018年第一、三季度功率MOSFET市场供需状况对比17图表322018年第一、三季度功率MCU市场供需状况对比17图表33价格的下跌对于厂商的影响18 1专精于高频领域，预计2022年功率MOSFET全球市场规模可达85亿美元1.1作为电压驱动的全控式单极型功率器件，功率MOSFET专精于高频领域在11月21日的报告《功率半导体总览：致更高效、更精密、更清洁的世界》中我们主要向读者们介绍了功率半导体这一现代社会电气化运作的核心并对其未来的发展趋势做出了一定的预判。在这篇报告中，我们则希望向读者们展示功率MOSFET这一当今全球范围内市场占比最大的功率器件细分行业。根据IHS及Gartner的相关统计，功率MOSFET占据约40%的全球功率器件市场规模。图表1全球功率半导体市场结构（2017）图表2全球功率器件及模组市场结构（2017）资料来源：YoleDéveloppement，资料来源：IHS，MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管或MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件，通常工作电流大于1A。由于功率器件的分类方式非常多样，且各分类方式的分类逻辑并不存在上下包含的关系，因此在这里我们从驱动方式、可控性、载流子类型这三个分类维度将功率MOSFET定义为电压驱动的全控式单极型功率器件。分类维度分类方式代表性器件性能影响驱动方式电流驱动BJT驱动功耗相对较大电压驱动MOSFET、IGBT驱动功耗相对较小可控性不可控型半控型全控型功率二极管晶闸管MOSFET、IGBT不可作为开关器件使用，工作频率相对较慢可作为开关器件使用，工作频率相对较慢，驱动电路相对复杂可作为开关器件使用，工作频率相对较快，图表3功率器件分类维度及其对应性能特点 驱动电路相对简单载流子类型单极型MOSFET、SBD工作频率相对较快，开关损耗相对较低但电压承载能力较差且导通损耗与关断损耗相对较大双极型BJT、FRD工作频率相对较慢，开关损耗相对较高但电压承载能力较强且导通损耗与关断损耗相对较小混合型IGBT工作频率居中较快，电压承载能力较高，开关损耗、导通损耗与关断损耗均居中较低资料来源：可以发现，功率MOSFET的电压驱动、全控式和单极型特性决定了其在功率器件中的独特定位：工作频率相对最快、开关损耗相对最小，但导通与关断功耗相对较高、电压与功率承载能力相对较弱。因此功率MOSFET会在两个领域中作为主流的功率器件：1.要求的工作频率高于其他功率器件所能实现的最高频率的领域，目前这个最高频率大概是70kHz，在这个领域中功率MOSFET成为了唯一的选择，代表性下游应用包括变频器、音频设备等。2.要求工作频率在10kHz到70kHz之间，同时要求输出功率小于5kW的领域，在这个领域的绝大多数情况下，尽管IGBT与功率MOSFET都能实现相应的功能，但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗（高频条件下开关损耗的功耗占比更大）、更小的体积以及相对较低的成本成为优先选择，代表性的下游应用包括液晶电视板卡、电磁炉等。图表4功率半导体主要应用领域资料来源：YoleDéveloppement，1.1宽禁带半导体材料迭代引领功率MOSFET性能演进根据载流子种类与掺杂方式，MOSFET可以被分为4种类型：N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型。 电值电压高，导通电阻大空穴作为多数载流子导载流子迁移速度慢，开关速率低，阈P沟道影响实际意义类型区分方式图表5MOSFET的分类方式N沟道电子作为多数载流子导电载流子迁移速度快，开关速率高，阈值电压低，导通电阻小VGS=0时为截至状态，正电压控制不掺杂增强型载流子种类掺杂方式耗尽型在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子VGS=0时为导通状态，正、零、负电压控制，成本较高资料来源：由于功率MOSFET往往追求高频率与低功耗，且多用作开关器件，因此N沟道增强型是绝大多数功率MOSFET的选择。N沟道P沟道增强型耗尽型广泛应用开关电路的高侧开关常开型开关或用于小信号放大常开型开关或用于小信号放大图表6不同类型功率MOSFET的应用领域资料来源：功率MOSFET自1976年诞生以来，不断面对着社会电气化程度的提高所带来的对于功率半导体的更高性能需求。对于功率MOSFET而言，主要的性能提升方向包括三个方面：更高的频率、更高的输出功率以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率MOSFET主要经历了制程缩小、技术变化、工艺进步与材料迭代这4个层次的演进过程，其中由于功率MOSFET更需要功率处理能力而非运算速度，因此制程缩小这一层次的演进已在2000年左右基本上终结了，但其他的3个层次的演进仍在帮助功率MOSFET不断追求着更高的功率密度与更低的功耗。方式名称演进特点代表案例影响制程缩小线宽制程的缩减，但不追求先进制程从10μm演进至0.15-0.35μm全面提升器件性能图表7功率MOSFET的技术演进方式技术变化同种设计结构中新技术带来的结构调整从Planar变化至品质，降低功耗列S5-C7英飞凌CoolMOS系主要提高器件的FOM同种设计与技术结构中生产工艺的进步工艺进步Trench再变化至SuperJunction与AdvancedTrench提高器件的电压承载能力与工作频率材料迭代半导体材料的改变资料来源：SiMOSFET演进至SiC/GaNMOSFET全面提升器件性能并降低功耗 目前，市面上的主流功率MOSFET类型主要包括：由于技术变化形成的内部结构不同的Planar、Trench、Lateral、SuperJunction、AdvancedTrench以及由于材料迭代形成的半导体材料改变的SiC、GaN。其中尽管材料迭代与技术变化属于并行关系，比如存在GaNLateralMOSFET，但就目前而言，由于宽禁带半导体仍处于初步发展阶段，所有面世的宽禁带MOSFET的性能主要由材料性能决定，因此将所有不同结构的GaNMOSFET和SiCMOSFET分别归为一个整体。种类主要特性适用领域Planar工作频率低但耐压性较好稳压器等图表8主流功率MOSFET的类型Lateral电容低，工作频率高但耐压性差音频设备等Trench导通电阻小，工作频率较高，耐压性一般开关电源等SuperJunction在Trench的基础上进一步提高了耐压性与输出功率工业照明等SiC功耗低、工作频率快、输出功率最高、耐压性能最好汽车电子等AdvancedTrench在Trench的基础上进一步提高了工作频率通信设备等汽车电子等功耗低、耐压性好、输出功率高、工作频率最高GaN资料来源：1.1受益于世界的电动化、信息化以及对用电终端性能的更高追求，预计2022年功率MOSFET全球市场规模可达亿85美元在《总览》中我们提到，功率半导体行业是一个需求驱动型的行业，因此功率MOSFET行业的市场空间主要源于对功率器件的需求为10kHz以上的工作频率以及5kW以下的输出功率的行业的市场空间。行业名称代表性应用音画设备显示设备音频设备摄像头无线设备手机播放器可穿戴设备家用电器洗衣机冰箱空调医疗设备血糖仪核磁共振X光机汽车电子电机控制器变频器自动驾驶复制系统计算存储电脑服务器数据中心工业高频感应加热不间断电源太阳能逆变器网络通讯调制解调器宽带网络蜂窝无线网络图表9需求功率MOSFET的主要下游行业资料来源：YoleDéveloppement，而这8个行业的主要增长动力，又主要源于三个趋势：电动化趋势、信息化趋势以及对用电终端性能的更高追求趋势。 电动化趋势主要影响汽车电子以及工业这两个行业，汽车行业的电动化无疑是当今世界电动化最显著的一个特征，这既源于汽车行业每年全球近1亿量的产销量规模，也源自于汽车电动化后3-4倍的功率半导体用量规模增长；而工业则主要因为电动化带来整体用电量的提升，从而带动包括电源、太阳能逆变器等电力传输领域行业的增长。图表10汽车电动化后单车半导体用量变化图表11功率MOSFET在汽车中的应用资料来源：StrategyAnalytics资料来源：Diodes信息化趋势主要影响无线设备、计算存储以及网络通讯这三个行业，就未来世界的趋势而言，无论是物联网或是AI，本质上都离不开更大程度上数据的收集、计算与传输，而数据量的增加，必将带来用电量与用电设备的增加，从而提高在这些设备中会被主要使用的功率MOSFET的市场空间。图表12数据中心的功率传输途径资料来源：YoleDéveloppement，对用电终端性能的更高追求趋势则主要影响音画设备、家用电器以及医疗设备这三个行业。所谓对用电终端性能的更高追求，包括更高的音画质、变频降噪等舒适感需求以及更精准多样的医疗设备检测等。以对电脑画质更高的要求为例，更高的电脑画质需求更高运算速度的GPU和更多的显存，更高运算速度的GPU和更多的显存又自然需求更多相的供电来驱动其稳定工作，而每一相供电都需要2-4个功率MOSFET。 图表13英伟达RTX2080图表14英伟达不同显卡产品所需供电相数变化资料来源：公开资料资料来源：受益于电动化、信息化以及对用电终端性能的更高追求带来的新增市场以及供需格局带来的价格变化，结合IHS、YoleDéveloppement的相关测算，我们预计功率MOSFET市场在2018年将略高于2017年12%左右的增长速度达到13%，在2019年由于挖矿机、智能手机等下游行业的需求不振维持市场规模不变，在2020年以后由于物联网、AI、5G等信息产业的兴起回升至4%的年化增长速度，至2022年实现约85亿美元的市场规模，对应的复合年增长率为4.87%。图表152016-2022年功率MOSFET市场空间测算资料来源：IHS，YoleDéveloppement， 1长期来看，恒逐峰者可览众山1.1低端控本高端重质，生产工艺演进进程决定功率MOSFET不同层次尽管功率半导体长远追求更高的功率密度以及更低的功耗，不同种类的功率MOSFET的市场地位与利润空间却并不完全由功率密度的高低与功耗的多少决定。比如Lateral型的功率MOSFET尽管属于比较早期被研发成功的功率MOSFET，且存在耐压低功率密度难以提升的缺陷，但利润率一直较高。有两个原因造成了目前的这种局面：1.功率半导体行业的整体发展方向是提高功率密度、降低功耗，但如果细化到某一个指标，比如工作频率时，后研发的SuperJunction等类型的功率MOSFET并不比Lateral型更有优势；2.只有满足了下游行业特定性能需求的两种MOSFET才能形成替代，因此无法替代的Lateral型在市场地位中与技术更为先进的SuperJunction等类型比肩，获得更高的超额利润。由于功率半导体是一个需求驱动型的行业，因此，在将各类型的功率MOSFET分层来讨论未来的结构趋势时，我们更倾向于通过生产商与下游的关系将不同的功率MOSFET比较抽象地分为低端、中端和高端，而不依据功率密度的大小或功耗的多少来划分。层级代表MOSFET类型对功率MOSFET的性能要求主要应用行业低端Planar、Trench工作频率要求一般，输出功率要求低，功耗能力要求一般消费电子图表16功率MOSFET的分层方式SuperJunction、中端工作频率要求较高，输出功率要求较高，功汽车、航天耗能力要求较高SiC、GaN高端AdvancedTrench工作频率要求较高，输出功率要求较高，功耗能力要求一般工业、家电资料来源：一般来说，低端层次的功率MOSFET所满足的性能要求相对较低、容易达到，且这种MOSFET面临着无从继续进行生产工艺演进，或者对这种MOSFET进行生产工艺演进带来的成本超过了其相对于更先进MOSFET的使用成本优势。对应到生产商的层面，我们认为该层次的功率MOSFET领先生产厂商生产工艺演进已经停止，绝大多数市场参与者的产品性能差异性小，此时价格成为下游厂商选择产品的主要原因。性能要求生产工艺演进进程不同厂商产品性能差异下游厂商选择标准较低已停止小价格图表17低端功率MOSFET的特点 中端层次的功率MOSFET所满足的性能要求适中，想要生产出相应性能的功率MOSFET具有一定的难度，对这种MOSFET进行生产工艺演进带来的成本低于其相对于更先进MOSFET的使用成本优势或并不存在更先进的MOSFET可选方案。对应到生产商的层面，我们认为该层次的MOSFET领先生产厂商生产工艺演进仍在继续但已处于中后阶段，演进速度显著放缓，生产工艺演进积累各不相同的生产商产品性能存在一定的差异，此时下游厂商首先根据自己所需求的产品性能来选择生产商名录，其次再综合考虑价格、供货量等因素。性能要求生产工艺演进进程不同厂商产品性能差异下游厂商选择标准适中中后期，演进速度放缓大优先满足性能，其次考虑价格图表18中端功率MOSFET的特点资料来源：高端层次的功率MOSFET所满足的性能要求高，想要生产出相应性能的功率MOSFET存在较高的技术壁垒，并不存在更先进的MOSFET可选方案。对应到生产商的层面，我们认为该层次的MOSFET领先生产厂商刚刚开启生产工艺演进，演进速度较快，仅有领先厂商能够生产该层次的MOSFET，此时下游厂商更为关注自己所需求的产品性能，对价格的敏感度较低。性能要求生产工艺演进进程不同厂商产品性能差异下游厂商选择标准高前中期，演进速度较快仅有领先厂商可以生产性能图表19高端功率MOSFET的特点资料来源：因此我们认为，上下游与不同功率MOSFET的不同关系，本质上是由于生产工艺演进进程（等价于该MOSFET领先厂商的生产工艺演进进程）的不同而导致的。其中由于下游厂商不同的选择标准，各类MOSFET部门的核心竞争力也各不相同。对于低端功率MOSFET部门而言，由于下游厂商仅关注价格，成本控制能力成为核心竞争力；对于高端功率MOSFET生产部门而言，自然高品质产品的生产能力成为核心竞争力；而对于中端功率MOSFET部门而言则比较复杂，由于价格和性能对于不同下游厂商的重要性动态变化，在产品性能与价格均具备一定市场竞争力的前提下，渠道能力决定了企业能找到多少与自身产品匹配的下游客户，从而决定了营收规模，成为核心竞争力。层次判断标准下游厂商选择标准核心竞争力低端生产工艺演进进程已终止价格成本控制能力图表20各层次功率MOSFET部门的核心竞争力生产工艺演进进程处于中后期，中端高品质产品的生产能力性能生产工艺演进进程处于前中期，演进速度较快高端演进速度显著放缓优先满足性能，其次考虑价格渠道能力 1.1长远来看单类MOSFET产品层次会由高端向低端逐年下移，研发实力为功率MOSFET企业核心竞争力在2.1中，我们根据不同功率MOSFET的行业特性与上下游关系将功率MOSFET分为了低端、中端和高端三个层次，并总结了三个层次分类的本质原因是由于生产工艺演进进程的不同，以及三个档次产品分别的核心竞争力。但是功率MOSFET产品的核心竞争力与功率MOSFET企业的核心竞争力存在着较大的差别。同样有两点原因：1.对于一家功率MOSFET企业，很少有只生产一种层次的功率MOSFET产品。2.单类功率MOSFET的层次会由高端向低端逐年下移。单类功率MOSFET的层次会逐年下移本质上是由于该类功率MOSFET的生产工艺演进进程会逐年成熟，当生产工艺演进进程达到中后期，演进速度放缓时，高端层次的功率MOSFET自然下移至中端层次，而当生产工艺演进进程结束时，中端层次的功率MOSFET自然下移至低端层次。这两年的汽车行业正好是一个非常好的观察者，由于汽车行业非常关注安全性，因此对零部件的一致性与合格率有着非常高的要求，通常一个合格的产品仍然需要经历1-2年的验证周期。这就是为什么汽车行业对性能要求高，且需求的产品仅能由领先厂商生产，但有一部分却使用的是中端的功率MOSFET的原因——汽车行业使用的是从高端层次自然下移至中端层次的功率MOSFET。证书认证对象意义TS16949车用零部件行业生产商证明拥有该证书的生产商具备质量认证是供货给汽车行业的生产商需要的资质图表21汽车电子领域功率MOSFET特有认证需求（部分）AEC-Q特定的产品资料来源：证明经过认证的产品合格率高，属于车规级是供给汽车行业的产品需要的资质同时，我们认为功率半导体行业会因为社会电气化程度的加深对功率半导体提出的更高需求，而不断追求着更好的性能。因此，高端层次将不断涌现新的功率MOSFET类型（直至功率MOSFET结构被别的功率半导体结构替代），而低端层次性能较差的功率MOSFET类型的市场空间将不断被压缩。YoleDéveloppement也曾给出预判，未来五年会出现三个比较明显的结构变化趋势：TrenchMOSFET将从中端下移至中低端，替代部分PlanarMOSFET的低端市场，AdvancedTrench（如SGT等）MOSFET将彻底下移至中端，替代TrenchMOSFET在低压领域的中端市场，宽禁带（SiC、GaN等）MOSFET将更为广泛地占据高端市场。 图表22功率MOSFET市场结构（2018）图表23功率MOSFET市场结构（2023）资料来源：YoleDéveloppement，资料来源：YoleDéveloppement，因此对于一家功率MOSFET企业而言，无论是依赖成本控制能力来占据低端市场，或者依赖渠道能力来占据中端市场都不足以保障企业的长远发展，因为本质上无论现在的某类功率MOSFET占据着哪个层次的市场，长远来看都有市场空间被不断压缩的一天。而如果一家企业能够凭借研发实力不断实现具备新涌现的高端层次功率MOSFET的生产能力，一方面可以帮助企业实现高端领域产品核心竞争力的不断增强，另一方面由于高中低端产品的渠道可以共用、生产成本会因为规模效应下降等原因，企业在中端产品和低端产品领域的核心竞争力也能协同增强。因此我们认为从长远看来，研发实力为功率MOSFET企业核心竞争力。1中期来看，善驭风者助行高远1.1国际巨头垄断国内市场，“进口替代”空间利好纯设计企业根据IHS的研究结果显示，全球功率MOSFET市场前十二大企业共占据84.2%的市场空间，其中仅有中国资本收购的外国企业Nexperia位列其中，占据3.6%的市场份额。 图表24全球功率MOSFET市场占比（2017）资料来源：IHS，中国功率MOSFET市场前十一大企业共占据82.2%的市场空间，其中中国资本收购的外国企业Nexperia位列第八，占据3.2%的市场份额，中国企业士兰微位列第十，占据2.5%，二者合计为5.7%。图表25中国功率MOSFET市场占比（2017）资料来源：IHS，由于2017年中国功率MOSFET市场规模26.39亿美元，占据全球67.12亿元市场规模的39.3%，据此可以判断，中国功率MOSFET市场需求量与中国企业供给量存在巨大差距，中国功率MOSFET行业存在进口替代空间。此外，由于国内功率半导体行业具备较高的实现进口替代的可能性，且短期内设计厂商可以利用晶圆代工厂的技术积累，通过聚焦于设计领域的研发，快速提升产品的性能与规模，因此短期内设计厂商相较于IDM厂商更容易把握“进口替代”进程，取得快速发展。（具体论证过程详见系列报告之一《功率半导体总览：致更高效、更精密、更清洁的世界》）因此短期内国内功率MOSFET设计企业更容易把握进口替代机遇。 3.2成本控制能力强的中国企业有望承接全球中低端产品的产能转移趋势在2.1中我们指出低端功率MOSFET产品的核心竞争力在于成本控制能力。并且由于功率MOSFET产品层次的自然下移，部分中低端产品的核心竞争力也将从渠道能力向成本控制能力过渡。而国内的功率MOSFET企业相较于国际厂商在成本方面具备天然优势。优势类型优势形成原因图表26国内功率半导体厂商的成本优势节省运输及关税费用面对中国下游厂商的额外成本优势优势成本优势工程师红利，人力成本更低资料来源：国内厂商沟通成本低与此同时，面对将要被进一步压低的利润率，以及由于近年来电动汽车行业的蓬勃发展使得相应的中高端MOSFET和IGBT的需求提高，欧美的功率半导体大厂往往选择更多地将毛利率低的中低端MOSFET产能转移至中高端MOSFET以及IGBT领域，会放弃毛利率较低的中低端MOSFET市场。厂商事件图表27近年来国际厂商放弃中低端MOSFET市场的事件Magnachip2016年关闭了位于韩国的MOSFET6寸晶圆厂Renesas2013年宣布推出3C类MOSFET市场NXP2016年剥离标准件部门（现Nexperia）卖给中国资本资料来源：由于下游客户选用功率半导体时需要经过一段时间的验证周期，因此存在一定的替换成本，但由于国外厂商的直接退出，下游客户必须承受替换成本，此时成本控制能力更好的中国企业有望凭借更低的价格打入这些下游厂商的供货体系，从而实现企业规模的快速增长。1短期来看，久慎行者易御危厄1.1供弱需强，连续5个季度价格上涨帮助具备产能优势的功率MOSFET企业快速增长2016年下半年，存储价格开始上涨，随后更带动12寸晶圆线价格于2017年1季度开始上涨，于是晶圆代工厂选择加快将产能从8寸线向12寸线转移，同时指纹识别芯片和双摄芯片在智能手机中的大量应用占据了大量的8寸线产能，生产功率MOSFET的8寸晶圆产能因此遭到挤压，市面上功率MOSFET供给下降。 与此同时，短期内区块链货币的火热带来矿机销量的提升、电动汽车占比的快速提高以及长期中社会电动化、信息化程度的加深都带来了对功率MOSFET的增量需求。供给缩减的同时需求上升，功率MOSFET行业于2017年第三季度启动涨价潮。厂商涨幅图表282017年国内MOSFET厂商涨价事件（部分）西安后裔调涨10%长电科技2次调涨MOSFET价格，分别调涨20%；10%-30%。乐山无限调涨10%无锡新洁能调涨10%资料来源：而根据FutureElectronics发布的2018Q4（2018年三季度）报告，功率MOSFET的涨价仍未终止，其中部分厂商产品货期仍在延长且价格仍在上涨。技术厂商目前货期货期趋势价格趋势低压Infineon39-52稳定上涨Diodes26-40延长上涨ONSemi（Fairchild）26-40延长上涨ONSemi39-52延长上涨Nexperia36-52延长上涨ST38-42稳定稳定Vishay33-50稳定稳定高压InfineonDiodesIXYSSTROHMMicrosemiVishay39-5236-4436-4428-4436-4026-4039-44稳定延长稳定稳定稳定稳定稳定上涨上涨上涨稳定稳定稳定稳定图表292018年第三季度功率MOSFET市场供需状况资料来源：FutureElectronics，功率MOSFET的涨价潮已持续了5个季度。在这五个季度中，我们认为，大部分功率MOSFET企业都享受了价格上涨带来的营收与利润规模红利，但具备产能优势的企业在此期间获得了超额的利好。价格变动方向影响方向影响对象影响原因上涨超额利好产能利用率不足的IDM厂商晶圆厂产能供给充足的设计厂商更多地占据了新增的需求市场图表30价格的上涨对于厂商的影响 高存货厂商存货价值上涨相对利空无法获得产能或必须以高昂的规模小的设计企业价格获得产能资料来源：1.1供强需弱，销售渠道优质、经营性现金流良好的企业更易熬过危机根据FutureElectronics的2018Q4报告似乎很容易得出功率MOSFET涨价潮仍在继续的结论，但我们对这件事保持着相对谨慎的态度。首先是因为如果结合2018年Q2（2018年一季度）报告，尽管Q4是部分厂商仍在延长交期、提高价格，但毫无疑问整体而言功率MOSFET已经摆脱加速上涨的局面，开始趋于平缓。技术厂商一季度货期趋势三季度货期趋势Infineon延长稳定Diodes延长延长ONSemi（Fairchild）延长延长低压ONSemi延长延长Nexperia延长延长ST延长稳定Vishay延长稳定高压Infineon延长稳定Diodes延长延长IXYS延长稳定ST延长稳定ROHM延长稳定Microsemi延长稳定Vishay延长稳定图表312018年第一、三季度功率MOSFET市场供需状况资料来源：FutureElectronics，同时无论是开启本轮半导体涨价潮的存储，或是同样主要使用8寸线生产的MCU，都体现出货期与价格平稳乃至下降的趋势，因此我们认为8寸线产能被部分释放，功率MOSFET供给增加。技术厂商一季度货期三季度货期8位MCUCypress16-1814-16Microchip12-1612-14NXP14-1614-16图表322018年第一、三季度功率MCU市场供需状况 Renesas2524-26ST3020-25Zilog18-2014-18Cypress22-2420-24Microchip12-1612-1616位MCUNXP4013-16Renesas24-2624-26ST3012资料来源：FutureElectronics，从需求端而言，根据IDC数据，由于智能手机渗透率已上升至高位，截止到2018年第三季度全球智能手机出货量连续下滑四个季度，我国智能手机出货量连续下滑六个季度。此外，再叠加矿机市场热度熄灭等因素的造成的需求进一步下滑，我们认为从2018年四季度开始，由于功率MOSFET的产能供给增加而需求短期内减少，本轮价格上涨行情将遭到延缓甚至终止。而在价格下降的时候，我们认为大部分企业都会经历营收和利润滞涨乃至下滑的影响，但下游销售渠道稳定的企业受到的影响相对较小。我们认为企业拥有好的渠道的体现应该包括：账期稳定、存货少、经营性现金流良好，而一家企业无论是账期延长或存货增加均会对经营性现金流造成负面的影响，因此我们认为良好的经营性现金流一定程度上可以代表企业拥有优质的下游渠道。价格变动方向影响方向影响对象影响原因下跌相对利好设计厂商不存在资产折旧带来的利润压力销售渠道稳定的厂商不受整体需求下降影响超额利空高存货的厂商IDM厂商存货价值下跌面临产能利用率大幅下降的风险图表33价格的下跌对于厂商的影响资料来源：1投资策略根据以上的分析，我们认为功率MOSFET企业长期受益于提升技术研发能力、中期受益于做好成本控制以把握“进口替代”趋势、短期受益于巩固下游渠道抵御价格下跌风险。且由于长期需求的提升以及“进口替代”局势带来的额外增量市场空间，预计未来五年国内功率MOSFET行业年化复合增长率超过10%。据此我们推荐关注现金流良好、成本控制能力强且具备中高端产品生产能力或潜在生产能力的国内功率MOSFET设计企业。但2018年功率MOSFET企业往往因为前期涨价形成对业绩的拉抬，存在一定的估值泡沫，且目前处于半导体行业周期下行的趋势中，从投资的时间节点而言，我们认为未来会产生更好的投资机会，因此对具体企业的推荐会 行业报告在我们判断出行业恢复向上趋势后的下一篇跟踪报告中为大家呈现。Page19/201风险提示（1）社会电气化、信息化进度不及预期：我们判断，未来功率MOSFET的长远驱动力是社会电气化、信息化程度的加深，如果相关对应行业包括电动汽车、AI、物联网等发展不及预期，功率MOSFET行业的发展也将随之放缓。（2）国内企业技术进步不及预期/国内人力成本快速上涨：作为国内功率MOSFET行业发展的核心逻辑之一，进口替代的进度受国产MOSFET性能以及国产MOSFET价格优势的影响较大，如果国内功率MOSFET企业无法生产出满足下游需求的产品或产品价格优势消失，国内功率MOSFET行业的发展速度将受到较大影响。（3）半导体行业下行程度超过预期：如果半导体行业下行周期过长或下行幅度过深，容易打击功率MOSFET行业的市场规模增长与后续产能扩张，功率MOSFET行业的发展也将随之放缓。 '