半导体行业词汇总结 9页

'半导体词汇总结半导体词汇总结1A1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniumfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模拟的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Antimony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）B27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用（石英）舟C31.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。37.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。44.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45.Correlation：相关性。46.Cp：工艺能力，详见processcapability。47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。48.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。D49.Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53.Depletionwidth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54.Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexperiments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。57.develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）58.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液59.diborane(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。62.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。63.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。64.diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。66.drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67.dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。E68.effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。70.epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。71.equipmentdowntime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。72.etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。73.exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 F74.fab：常指半导体生产的制造工厂。75.featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。76.field-effecttransistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。77.film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。78.flat：平边79.flatbandcapacitanse：平带电容80.flatbandvoltage：平带电压81.flowcoefficicent：流动系数82.flowvelocity：流速计83.flowvolume：流量计84.flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数85.forbiddenenergygap：禁带86.four-pointprobe：四点探针台87.functionalarea：功能区G88.gateoxide：栅氧89.glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度90.gowning：净化服91.grayarea：灰区92.grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪H93.hardbake：后烘94.heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法95.high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒97.host：主机98.hotcarriers：热载流子99.hydrophilic：亲水性100.hydrophobic：疏水性I101.impurity：杂质102.inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体103.inertgas：惰性气体104.initialoxide：一氧105.insulator：绝缘106.isolatedline：隔离线107.implant:注入108.impurityn:掺杂137.images：去掉图形区域的版J109.junction:结110.junctionspikingn:铝穿刺111.kerf:划片槽112.landingpadn:PAD113.lithographyn制版M 114.maintainability,equipment:设备产能115.maintenancen:保养116.majoritycarriern:多数载流子117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118.materialn:原料119.matrixn1:矩阵120.meann:平均值121.measuredleakraten:测得漏率122.mediann:中间值123.memoryn:记忆体124.metaln:金属N125.nanometer(nm)n：纳米126.nanosecond(ns)n：纳秒127.nitrideetchn：氮化物刻蚀128.nitrogen(N2)n：氮气，一种双原子气体129.n-typeadj：n型O130.ohmspersquaren：欧姆每平方:方块电阻131.orientationn：晶向，一组晶列所指的方向132.overlapn：交迭区133.oxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应P134.phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版136.photomask,negativen：反刻138.photomask,positiven：正刻139.pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子140.plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体141.plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺143.pnjunctionn：pn结144.pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠145.polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语146.polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。148.polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象149.probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。150.processcontroln:过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。151.proximityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。152.purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。Q153.quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。154.quartzcarriern:石英舟。R155.randomaccessmemory(RAM)n:随机存储器。156.randomlogicdevicen:随机逻辑器件。 157.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速热处理(RTP)。158.reactiveionetch(RIE)n:反应离子刻蚀(RIE)。159.reactorn:反应腔。反应进行的密封隔离腔。160.recipen:菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。161.resistn:光刻胶。S162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:电子显微镜(SEM)。163.scheduleddowntimen:(设备)预定停工时间。164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。165.scribelinen:划片槽。166.sacrificialetchbackn:牺牲腐蚀。167.semiconductorn:半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169.sideload:边缘载荷，被弯曲后产生的应力。170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片171.smallscaleintegration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。172.sourcecode:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。173.spectralline:光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。174.spinwebbing:旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。175.sputteretch:溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177.steambath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。178.stepresponsetime:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。179.stepper:步进光刻机（按BLOCK来曝光）180.stresstest:应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。181.surfaceprofile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。182.symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。T183.tackweld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。184.Taylortray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。185.temperaturecycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。186.testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。187.thermaldeposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。188.thinfilm:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。189.titanium(Ti):钛。190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。192.tungsten(W):钨。193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。194.tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。201.trench:深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。204.torr:托。压力的单位。W196.watt(W):瓦。能量单位。 197.waferflat:从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。198.waferprocesschamber(WPC):对晶片进行工艺的腔体。199.well:阱。200.wetchemicaletch:湿法化学腐蚀。V202.via:通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。203.window:在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。205.vaporpressure:当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。206.vacuum:真空。207.transitionmetals:过渡金属其它Yield良率Parameter参数PAC感光化合物ASIC特殊应用集成电路Solvent溶剂Carbide碳Refractive折射Expansion膨胀Strip湿式刻蚀法的一种TM:topmental顶层金属层WEE周边曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Runcard运作卡POD装晶舟和晶片的盒子Scratch刮伤Reticle光罩Sputter溅射Spin旋转Merge合并AA/D[军]Analog.Digital,模拟/数字ACMagnitude交流幅度ACPhase交流相位Accuracy精度"ActivityModelActivityModel"活动模型AdditiveProcess加成工艺Adhesion附着力Aggressor干扰源AnalogSource模拟源AOI,AutomatedOpticalInspection自动光学检查AssemblyVariant不同的装配版本输出Attributes属性AXI,AutomatedX-rayInspection自动X光检查 BBIST,Built-inSelfTest内建的自测试BusRoute总线布线CCircuit电路基准circuitdiagram电路图Clementine专用共形开线设计ClusterPlacement簇布局CM合约制造商CommonImpedance共模阻抗Concurrent并行设计ConstantSource恒压源CooperPour智能覆铜Crosstalk串扰CVT,ComponentVerificationandTracking元件确认与跟踪DDCMagnitude直流幅度Delay延时Delays延时DesignforTesting可测试性设计Designator标识DFC,DesignforCost面向成本的设计DFM,DesignforManufacturing面向制造过程的设计DFR,DesignforReliability面向可靠性的设计DFT,DesignforTest面向测试的设计DFX,DesignforX面向产品的整个生命周期或某个环节的设计DSM,DynamicSetupManagement动态设定管理DynamicRoute动态布线EEDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat电子设计交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation电子工业协会ElectroDynamicCheck动态电性能分析ElectromagneticDisturbance电磁干扰ElectromagneticNoise电磁噪声EMC,ElctromagneticCompatibilt电磁兼容EMI,ElectromagneticInterference电磁干扰Emulation硬件仿真EngineeringChangeOrder原理图与PCB版图的自动对应修改Ensemble多层平面电磁场仿真ESD静电释放FFallTime下降时间FalseClocking假时钟FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里叶变换FloatLicense网络浮动FrequencyDomain频域GGaussianDistribution高斯分布 Globalflducial板基准GroundBounce地弹反射GUI,GraphicalUserInterface图形用户界面HHarmonica射频微波电路仿真HFSS三维高频结构电磁场仿真IIBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE项目里就是指制作PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers国际电气和电子工程师协会IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三维立体几何模型和工程描述的标准ImageFiducial电路基准Impedance阻抗In-Circuit-Test在线测试InitialVoltage初始电压InputRiseTime输入跃升时间IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封装与互连协会IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互过程优化ISO,TheInternationalStandardsOrganization国际标准化组织JJumper跳线LLinearDesignSuit线性设计软件包LocalFiducial个别基准Mmanufacturing制造业MCMs,Multi-ChipModules多芯片组件MDE,MaxwellDesignEnvironmentNonlinearDesignSuit非线性设计软件包OODB++OpenDataBase公开数据库OEM原设备制造商OLEAutomation目标连接与嵌入On-lineDRC在线设计规则检查Optimetrics优化和参数扫描Overshoot过冲PPanelfiducial板基准PCBPCBoardLayoutTools电路板布局布线PCB,PrintedCircuitBoard印制电路板Period周期PeriodicPulseSource周期脉冲源PhysicalDesignReuse物理设计可重复PI,PowerIntegrity电源完整性Piece-Wise-linearSource分段线性源Preview输出预览PulseWidth脉冲宽度PulsedVoltage脉冲电压Q QuiescentLine静态线RRadialArrayPlacement极坐标方式的元件布局Reflection反射Reuse实现设计重用RiseTime上升时间Rnging振荡,信号的振铃Rounding环绕振荡RulesDriven规则驱动设计SSaxBasicEngine设计系统中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools电路原理设计工具Setting设置SettlingTime建立时间ShapeBase以外形为基础的无网格布线Shove元器件的推挤布局SI,SignalIntegrity信号完整性Simulation软件仿真Sketch草图法布线Skew偏移SlewRate斜率SPC,StaticticalProcessControl统计过程控制SPI,Signal-PowerIntegrity将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成电路模拟的仿真程序Split/MixedLayer多电源/地线的自动分隔SSO同步交换STEP,StandardfortheExchangeofProductModelDataSymphony系统仿真TTimedomain时域TimestepSetting步进时间设置UUHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述语言Undershoot下冲UniformDistribution均匀分布VVariant派生VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架联盟Victim被干扰对象VirtualSystemPrototype虚拟系统原型VST,VerficationandSimulationTools验证和仿真工具Wizard智能建库工具,向导'