半导体行业电子“科创”系列报告：澜起科技，全球领先的内存接口设计厂商 14页

'目录索引澜起科技：全球领先的内存接口设计厂商5深耕内存接口芯片十年，技术优势行业领先5历史财务表现：呈现快速增长趋势7IPO前后股权结构7澜起科技投资结构相对分散8供应商及客户情况优异8受益数据中心建设与技术换代，内存接口芯片有望量价齐升9云计算驱动，数据中心建设步入高速期10从服务器发展趋势看接口芯片的超预期成长11澜起研发加募投锁定未来成长13研发高投入，保证自身竞争优势13未来战略聚焦技术升级和新兴行业，募投彰显成长信心14可比公司估值比较15风险提示15 图表索引图1：澜起科技发展历史5图2：澜起科技业务构成5图3：内存接口是CPU读取数据和指令的必要通路6图4：澜起科技主产品为RCD+DB的LRDIMM6图5：澜起科技两款内存缓存芯片（MB）6图6：津逮服务器平台6图7：公司近3年营业收入（分产品）7图8：公司产品销量和单价情况7图9：公司营收和归母净利润7图10：公司毛利率和净利率变化7图11：澜起科技发展历史8图12：公司前五大供应商、客户占比变化9图13：公司销售情况部分（亚太地区为主）9图14：全球内存接口芯片市场规模以及增速10图15：全球超大规模数据中心数预测（个）10图16：全球服务器出货量边际明显10图17：2018年中国数据中心占比8%，全球第二11图18：中国X86服务器出货量预测（百万台）11图19：服务器以及内存系统三大核心需求和发展趋势11图20：存储器领域的摩尔定律逐渐放缓12图21：尺寸缩小无法满足DRAM性能提升需求12图22：不同内存产品传输速率和工作电压12图23：内存产品向高端发展趋势明确12图24：澜起研发投入情况13图25：内存接口芯片全球市场规模13图26：澜起员工构成以研发为主（2018年）14图27：澜起员工受教育程度较高（2018年）14表1：IPO前后股权结构变化8表2：不同内存产品技术要求13表3：本次公开募集资金使用安排（万元）14表4：可比公司估值比较（市值、净资产、营收、净利润单位为亿元）15 澜起科技：全球领先的内存接口设计厂商深耕内存接口芯片十年，技术优势行业领先澜起科技创办于2004年，创办初期主要从事数字电视机盒芯片（成都澜至）和高端计算机的内存缓存芯片（本次上市主体）。公司成立初便被技术市场和资本市场看好，获得全球最大半导体厂商Intel的青睐和投资。行业认证严苛，澜起科技深耕十年终业务开花。内存缓冲芯片进入主流市场需要通过服务器处理器厂商、内存提供商、服务器厂商三重认证，澜起自2005年首款DDR2内存缓冲芯片，但在2010年DDR3服务内存芯片才完全通过全部认证，逐渐量产实现盈利，2013年DDR4服务内存缓冲芯片，第一个获得Intel认证，实现行业内的领先地位。图1：澜起科技发展历史200420052006201020132016杨崇和二次创业，澜起科技成立。世界颗0.13umCMOS工艺DVB-C数字有线解调芯片推出DDR4产品并第一个获得Intel认证推出首款DDR2服务器内存缓存芯片推出DDR3产品并通过全部认证与清华、Intel联手研发研发新型通用CPU-津逮数据来源：与非网，公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口芯片、津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。目前澜起科技为全球重要的内存接口芯片设计厂商，深耕该领域十多年，可提供从DDR2到DDR4内存全缓存/半缓存完整解决方案，其中公司发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准（一颗寄存器时钟驱动芯片（RCD芯片）搭配9颗数据缓冲芯片（DB芯片）），公司产品已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的主要份额。图2：澜起科技业务构成数据来源：与非网， 主要业务功能介绍·内存接口芯片：内存接口芯片是服务器内存模组（又名：内存条）的核心逻器件，作为服务器CPU存取内存数据的必由之路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性。其中内存缓冲芯片可以分为三类：寄存缓冲器（RCD）、数据缓冲器（DB）和内存缓冲器（MB）。（采用了寄存缓冲器（RCD）对地址/命令/控制信号进行存储缓冲的内存条通常称为RDIMM，而采用了内存缓冲器，或者是寄存缓冲器（RCD）及数据缓冲器（DB）套片对数据信号及地址/命令/控制信号进行存储缓冲的内存条称为LRDIMM。）·津逮服务器平台：该平台为澜起科技与英特尔及清华大学合作，研发出的津逮系列服务器CPU，基于该CPU及澜起科技的混合安全内存模组而搭建的津逮服务器平台，实现了芯片级实时安全监控功能，为云计算数据中心提供更为安全、可靠的运算平台。图3：内存接口是CPU读取数据和指令的必要通路图4：澜起科技主产品为RCD+DB的LRDIMM数据来源：EDNChina，Rambus，数据来源：澜起科技官网，图5：澜起科技两款内存缓存芯片（MB）图6：津逮服务器平台DDR2高级内存缓冲器(AMB)芯片DDR3内存缓冲器（MB）芯片数据来源：澜起科技官网，数据来源：澜起科技官网， 历史财务表现：呈现快速增长趋势近年来，公司业绩呈现快速增长趋势，2014年至2018年公司主营业务收入年复合增长率为46.54%，归母净利润年复合增长率为76.47%。2018年公司实现营收17.58亿元，归母净利润7.37亿元。分产品来看，公司内存接口芯片业务实现稳步快速增长，18年实现收入约17.58亿元，销售收入占营业收入的比例上升至98.6%；17年底实现了消费电子业务的剥离，而目前津逮服务器平台18年实现收入0.09亿元，相对占比较小。图7：公司近3年营业收入（分产品）图8：公司产品销量和单价情况（亿元）20181614121086420201620172018内存接口芯片消费电子芯片津逮服务器平台（亿颗元/个）1.220181160.814120.61080.460.24200201620172018销售数量单价（元/个）数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：招股说明书（申报稿），从盈利指标看，公司剥离毛利率较低的消费电子业务后，18年实现整体毛利率70.5%，净利率41.9%，由于行业集成度较高，短期内公司产品单价不存在降价压力，因此公司毛利率水平有望短期内保持较高水平。长期来看，伴随着服务器对于传输速率需求的不断提升，公司产品更新换代，产品毛利率有望进一步实现提升。图9：公司营收和归母净利润图10：公司毛利率和净利率变化（亿元）2018161412108642020142015201620172018350%300%250%200%150%100%50%0%-50%-100%80%70%60%50%40%30%20%10%0%201620172018营收归母净利润营收同比(%)净利润同比(%)毛利率(%)净利率(%)数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：招股说明书（申报稿），IPO前后股权结构公司本次IPO计划发行11298.14万股。本次发行后，总股本101683.3万股，新发股份占IPO后总股本的11%。 表1：IPO前后股权结构变化序号股东名称IPO前持股比例（%）IPO后持股比例（%）1中电投控15.9%14.3%2嘉兴芯电2.1%1.9%3WLT8.6%7.8%4珠海融英6.8%6.1%5上海临理5.3%4.7%6上海临丰1.8%1.6%7其它59.5%63.5%数据来源：招股说明书（申报稿），澜起科技投资结构相对分散公司股权结构相对较为分散，不存在控股股东以及实际控制人，其中持股比例最大的为中电投控，持股14.3%，第二大股东为Intel资本持股10%，发行后前两大股东分别持股比例为14.3%和9%。图11：澜起科技发展历史数据来源：招股说明书（申报稿），供应商及客户情况优异公司作为Fabless模式下的集成电路设计企业，发生的采购主要为晶圆制造和封装测试服务。公司晶圆制造主要供应商为富士通电子、台积电均拥有成熟、稳定的生产工艺，其产品的良率和一致性也保持着业内领先水平。封装测试供应商主要为行业内工艺水平较高的星科金朋和矽品科技。2018年公司前五大供应商合计占比91.9%，供应商集中度相对较高。公司产品以内存接口芯片为主，下游主要为DRAM行业，公司主要客户是DRAM 市场的国际龙头企业以及国内的富昌电子、淇诺科技、中电器材等。16到18年公司前五大客户销售占比分别为70.2%，83.7%和90.1%，客户集中度逐年提升，主要DRAM市场集中度提升所致。其中公司主要客户以亚太地区为主，2018年公司亚太地区（大陆+韩国+新加坡+菲律宾）占比约为90.7%，有望持续受益亚太地区下游需求增长。菲律宾8%5%5%中国大陆32%新加坡21%韩国29%图12：公司前五大供应商、客户占比变化图13：公司销售情况部分（亚太地区为主）100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%201620172018前五大供应商占比前五大客户占比美国其他数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：招股说明书（申报稿），受益数据中心建设与技术换代，内存接口芯片有望量价齐升根据公司招股说明书（申报稿）数据，内存接口芯片2018年约5.5亿美元市场规模，出货量增长来自于内存出货量的提升，增长速度高于服务器市场增速。内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。由于内存接口芯片的价格较为稳定，其市场规模的增长主要来源于内存出货量的增加。相比于全球服务器出货量的增长，由于服务器数据存储和处理的负载能力不断提升，服务器中配置内存数量也随之增长，导致内存接口芯片的增长率高于服务器市场的增速。 图14：全球内存接口芯片市场规模以及增速（亿美元）5.050%4.040%3.030%2.020%1.010%2016年2017年2018年数据来源：招股说明书（申报稿），云计算驱动，数据中心建设步入高速期全球IT支出偏向云计算市场，全球云计算规模扩张带动底层云基础设施（数据中心）快速放量。根据Gartner报告显示，2017年全球IT支出约为3.5万亿美元，而云计算市场规模占全球IT支出的比重快速提升，预计到2019年将达到9.25%。云计算服务规模的扩张带动底层云基础设施建设和上层云具体行业应用相关产业的发展。数据中心作为云计算的核心物理基础，未来成长性显著。2017年全球数据中心市场规模达534.7亿美元，过去三年全球市场增速基本保持在15%-20%之间，未来高增速将进一步持续。而目前亚太地区是需求最旺盛，增速最快的市场，（中国IDC圈数据，2017年国内IDC市场规模接近950亿元，过去三年增速保持在40%左右，显著高于全球平均水平）数据中心大规模持续建设进一步拉升相关上游产业链（市场研究机构SynergyResearch发布数据超大规模数据中心一般拥有5万-10万服务器）。图15：全球超大规模数据中心数预测（个）图16：全球服务器出货量边际明显6005004003002001000201520162017201820192020HyperscaleDataCenters%ShareofDataCenterServers(InstalledBase)50%47%43%38%33%27%21%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%（百万台）14121086420全球服务器出货量增速（%）20%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%数据来源：CiscoGCI，数据来源：Wind，中国“云计算+多产业信息化”加速，中国服务器放量领先全球水平，澜起本土作战，受益明显。近年来，国内政府信息化，工业互联网，数字化转型、大数 据、人工智能行业快速发展，加大数据量需求，带动国内服务器市场市场持续繁荣。同时以BAT为首的互联网巨头不断加大云计算数据中心建设，医疗、银行等行业也逐渐接受云计算模式，未来国内服务器出货量增速有望依然高于高于全球平均水平。图17：2018年中国数据中心占比8%，全球第二图18：中国X86服务器出货量预测（百万台）JapanChina5.025%8%4.020%Australia40%5%3.015%OtherGermany5%2.010%1.05%30%2017201820192020202120222023数据来源：SynergyResearch，数据来源：IDC中国,从服务器发展趋势看接口芯片的超预期成长内存接口芯片需要跟随服务器内存产业而发展，随着内存由DDR2、DDR3演进DDR4，数据传输速率不断提升，工作电压不断降低，由于服务器内存子系统面临的主要瓶颈仍然是高速度、大容量、低功耗下的信号完整性问题，所以需要进行不断的产品升级。图19：服务器以及内存系统三大核心需求和发展趋势高速度1、CPU频率时钟提升2、CPU与内存数据交互速度限制算力提升服务器大容量1、日常数据量增加内存系统2、AI算法训练需大量数据量低功耗1、先进数字工艺节点，供电电压降低2、电力成本为数据中心主要日常成本数据来源：招股说明书（申报稿），边际变化一：放缓的摩尔定律无法维持服务器容量提升需求摩尔定律效用减缓，存储类芯片需求量有望进一步增大。首先摩尔定律年限逐渐放缓，摩尔定律原计划的3年时间现在逐渐难以实现。对于DRAM来说20nm以下工艺很难将晶体管尺寸再缩减一半，同时NAND存储电路2D结构尺寸缩减无法进行，因此转向3D结构来寻求工艺进步带来的存储容量提升。同时对于DRAM和NAND存储芯片来说，尺寸减小带来的存储器单位容量差逐渐变大，因此在原有面积下，利 用摩尔定律实现存储容量的提升无法满足服务器的存储容量需求，因此预计转向使用更多的DRAM数量。因此澜起“1+9”的国际标准下，服务器需要使用更多的内存接口芯片。图20：存储器领域的摩尔定律逐渐放缓图21：尺寸缩小无法满足DRAM性能提升需求DRAMDRAMbit-growthCAGR(17-21)=24%IncreaseduetoscalingCAGR(17-21)=10-14%70（Index）50060504004030030202001002007200820092010201120122013201420152016201720182019202020211002D-NAND3D-NANDDRAM0201620172018201920202021数据来源：SUMCO，数据来源：SUMCO，边际变化二：高速率、低功耗需求旺盛，加速内存接口芯片更新换代传输速率提升，工作电压下降依然为内存产品发展大趋势。内存产品不断更新换代实现传输速率和低功耗性能的提升，DDR5内存产品性能要求工作电压1.1v，运行速率达到4800MT/s。2017年Cadence与美光完成了DDR5-4400的初始版本硅接口芯片（使用TSMC7nmFinfet晶体管工艺，速率达4400MT/s）。目前Cadence预测第一批采用DDR5-4400ip的soc(SystemonChip)预计最早将于2019年发布，预计到2022年出货量将超过DDR4.澜起未来三年拟在现有内存接口芯片产品基础上，对原有DDR4内存接口芯片芯片进行升级，同时开展面向DDR5寄存式双列内存模组（RDIMM）和减载双列直插内存模组（LRDIMM）的DDR5内存接口芯片的研发，推进公司产品更新换代以提升公司产品价格和出货量，提高公司竞争力。图22：不同内存产品传输速率和工作电压图23：内存产品向高端发展趋势明确6000500040003000200010000DDR2DDR3DDR4DDR521.81.61.41.210.80.60.40.20（%ofUnitsShipped）100%80%60%40%20%0%20122013201420152016201720182019202020212022othersDDR2DDR3DDR460%50%40%30%20%10%0%数据传输速度(Mbps)工作电压DDR5LPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5MobileDRAM数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：CadenceAnalysis， 表2：不同内存产品技术要求内存基本情况DDR首代DDR产品，是SDRSDRAM的升级版。这个时期，IDT研发出一款13-26位寄存器缓冲器，专为匹配内存而设计用于2.3-2.7V下的DDR266、DDR333以及2.5-2.7V下的DDR400。DDR2DDR2于2004年面世，拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力，且在节能方面做得更加优秀。这一时期，第一代的高级内存缓冲器出现，成为全缓冲双列直插内存模组（FBDIMM）架构最为关键的芯片。解决了传统并行式内存架构速度与容量难以兼顾的问题，但同时因为使用量多而出现功耗大的问题。DDR3DDR3于2007年面世，相较于DDR2，提供了更高的运行效能与更低的电压。此阶段内存接口芯片得到一步发展，通过减低内存控制器的负载和改善信号完整性，从而增加内存系统的支持容量和带宽。同时在可靠性与功耗方面也做了进一步提升，以提高此时期服务器的内存容量和数据处理速度。DDR4于2014年面世，在传输速率和数据可靠性上做了进一步提升（8n-bit内存预读取，最高可实现32位），并采用1.2V工作电压，更为节能。从这一时期开始，由于技术的更加成熟，内存接口芯片的发展进入繁荣时段，规格更加DDR4齐全，在性能功耗方面达到更高水准。并可在所有JEDEC定义的DDR4LRDIMM和RDIMM上实现更高密度、更快速率的数据处理。此外，有些产品还可以支持NVDIMM（非易失性双列直插内存模组）模式，为计算机内存体系增加了新层级的功能，实现DRAM速率级的非易失性内存访问。DDR5DDR5采用了更低的工作电压（1.1V），同时在传输有效性和可靠性上又迈进了一步，轻松实现4800MT/s的超高运行速率，是DDR4最高速率的1.5倍。目前应用于DDR5的第一代内存接口芯片正处于进一步研发中。数据来源：招股说明书，澜起研发加募投锁定未来成长研发高投入，保证自身竞争优势DDR标准更新换代，高技术要求快速拉升市场集中度，澜起大力度研发，积极募投，有望在DDR5阶段保持领先优势。内存接口芯片技术门槛相对较高，需求量较大。行业良好的发展前景早期吸引大量厂商进入，DDR2阶段行业参与者超10家，DDR3阶段逐渐减少，DDR4阶段全球研发并实现量产的内存接口芯片仅为三家（澜起科技、IDT和Rambus）。伴随着全球云计算的快速发展，服务器对于CPU和内存数据交换速度需求有了进一步的提升，在DDR4向DDR5过度阶段，公司持续保持20%以上研发投入并且积极募投，保证自身领先的行业优势和地位。公司16-18年研发费用投入分别为1.98、1.88、2.77亿元，占营收比例分别为26.22%，20.02%，27.29%。同时截至2018年12月31日，公司员工数目255人，其中研发人员占比71.0%，本科及以上学历占比93.7%，研发能力强大构筑公司核心竞争力。图24：澜起研发投入情况图25：内存接口芯片全球市场规模（亿元）3.02.52.01.51.00.50.0201620172018研发费用研发费用率25%20%15%10%5%0%（亿美元）6.05.04.03.02.01.00.02016年2017年2018年市场规模澜起内存接口收入全球增速（%）澜起增速（%）70%60%50%40%30%20%10%0%数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：招股说明书（申报稿）， 图26：澜起员工构成以研发为主（2018年）图27：澜起员工受教育程度较高（2018年）管理支持人员18%市场销售人员11%研发人员71%大专以下0%大专6%硕士及以上43%本科51%数据来源：招股说明书（申报稿），数据来源：招股说明书（申报稿），未来战略聚焦技术升级和新兴行业，募投彰显成长信心公司本次拟公开发行不超过11298.14万股A股普通股股票，总投资额约为23.0亿元，拟使用募集资金23.0亿元，全部用于与公司主营业务相关的项目。若实际募集资金不能满足上述3个项目的投资需要，资金缺口通过自筹方式解决。·其中用于新一代内存接口芯片研发及产业化项目投入占比约为44%，在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化；·在数据中心业务领域投入占比32%，持续升级津逮®服务器CPU及其平台，为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、内存模组等产品，持续提升市场份额；·在人工智能芯片领域，公司将聚焦客户需求，挖掘潜在商机，研发有竞争力的芯片解决方案，为公司的可持续发展提供新的业务增长点。表3：本次公开募集资金使用安排（万元）序号项目名称总投资额使用募集资金投入金额建设期1新一代内存接口芯片研发及产业化项目101785.00101785.003年2津逮服务器CPU及其平台技术升级项目74520.1674520.163年3人工智能芯片研发项目53713.9053713.903年总计230019.06230019.06数据来源：招股说明书（申报稿）， 可比公司估值比较表4：可比公司估值比较（市值、净资产、营收、净利润单位为亿元）2018Q1-Q3单位：亿元标的名称总市值净资产营收归母净利润PS(TTM)PB(LYR)PE(TTM)EV/EBITDA603160.SH汇顶科技479.164636.8223.73.215.013.7108.249.1603986.SH兆易创新308.284319.1117.23.713.817.672.562.72018全年A19050.SH澜起科技36.1617.58007.4数据来源：招股说明书（申报稿），wind，风险提示技术更新换代风险；全球服务器需求量下滑；中美贸易摩擦风险；研发不达预期。 '